BundesrechtBundesrechtwww.ris.bka.gv.atSeite 3 von 1www.ris.bka.gv.atSeite 1 von 1KurztitelBewilligungspflicht der Ausfuhr; Überlassung von Waren im ZollauslandKundmachungsorganBGBl. Nr. 540/1992 aufgehoben durch BGBl. Nr. 848/1992§/Artikel/AnlageAnl. 1Inkrafttretensdatum01.09.1992Außerkrafttretensdatum31.12.1992Text Anlage ---------- AUSFUHRLISTE--------------------------------------------------------------------- ABSCHNITT I* Vormaterialien für Chemiewaffen:(auch unter anderen Handelsnamen)* Vormaterialien für biologische Waffen:--------------------------------------------------------------------- CW01 Vormaterialien für Chemiewaffen C.A.S.-Nr. Bezeichnung: 111-48-8 Thiodiglykol, 2,2'-Thiodiethanol 10025-87-3 Phosphoroxychlorid 756-79-6 Methylphosphonsäuredimethylester 676-99-3 Methylphosphonsäuredifluorid 676-97-1 Methylphosphonsäuredichlorid 868-85-9 Dimethylphosphit 7719-12-2 Phosphortrichlorid 121-45-9 Trimethylphosphit 7719-09-7 Thionylchlorid 96-79-7 N,N-Diisopropyl-2-aminochlorethan 5842-07-9 N,N-Diisopropyl-2-aminoethanthiol 7789-23-3 Kaliumfluorid 107-07-3 2-Chlorethanol, Ethylenchlorhydrin 124-40-3 Dimethylamin 506-59-2 Dimethylaminhydrochlorid 57856-11-8 Methylphosphonigsäure- 0-(2-diisopropylaminoethyl)ethylester 3554-74-3 3-Hydroxy-1-methylpiperidin 1619-34-7 3-Chinuclidinol 78-38-6 Ethylphosphonsäurediethylester 2404-03-7 N,N-Dimethylaminodiethylphosphat 762-04-9 Diethylphosphit 1498-40-4 Ethylphosphonigsäuredichlorid 1066-50-8 Ethylphosphonsäuredichlorid 753-98-0 Ethylphosphonsäuredifluorid 7664-39-3 Fluorwasserstoff 76-89-1 Methylbenzilat 676-83-5 Methylphosphonigsäuredichlorid 96-80-0 N,N-Diisopropyl-2-aminoethanol 464-07-3 Pinakolylalkohol, tert. Butylmethylcarbinol 122-52-1 Triethylphosphit 7784-34-1 Arsentrichlorid 76-93-7 Benzilsäure, Diphenylglykolsäure 15715-41-0 Methylphosphonigsäurediethylester 6163-75-3 Ethylphosphonsäuredimethylester 430-78-4 Ethylphosphonigsäuredifluorid 753-59-3 Methylphosphonigsäuredifluorid 3731-38-2 3-Chinuclidon 10026-13-8 Phosphorpentachlorid 75-97-8 Pinakolon, 3,3-Dimethyl-2-butanon 151-50-8 Kaliumcyanid 7789-29-9 Kaliumhydrogendifluorid 1341-49-7 Ammoniumhydrogendifluorid 7681-49-4 Natriumfluorid 1333-83-1 Natriumhydrogendifluorid 143-33-9 Natriumcyanid 102-71-6 Triethanolamin 1314-80-3 Phosphorpentasulfid 108-18-9 Diisopropylamin 100-37-8 2-Diethylaminoethanol 1313-82-2 Natriumsulfid BW01 Vormaterialien für biologische Waffen 1. Viren V1 Chikungunya Virus V2 Kongo-Krimfieber Virus V3 Denguefieber Virus V4 Östliches Pferde Enzephalitis Virus V5 Ebola Virus V6 Hantaan Virus V7 Junin Virus V8 Lassafieber Virus V9 Lymphozyteres Choriomeningitis Virus V10 Machupo Virus V11 Marburg Virus V12 Affenpocken Virus V13 Rifttalfieber Virus V14 Frühsommer Meningoenzephalitis Virus V15 Pocken Virus V16 Venezuelanisches Pferde Enzephalitis Virus V17 Westliches Pferde Enzephalitis Virus V18 White Pox Virus V19 Gelbfieber Virus V20 Japanisches Enzephalitis Virus 2. Ricketten R1 Coxiella burnetii R2 Rickettsia quintana R3 Rickettsia prowasecki R4 Rickettsia rickettsii 3. Bakterien B1 Bacillus anthracis B2 Brucella abortus B3 Brucella melitensis B4 Brucella suis B5 Chlamydia psittaci B6 Clostridium botulinum B7 Francisella tularensis B8 Pseudomonas mallei B9 Pseudomonas pseudomallei B10 Salmonella typhi B11 Shigella dysenteriae B12 Vibrio cholerae B13 Yersinia pestis ABSCHNITT II WAREN-GRUPPEN 1 MATERIALIEN 2 MATERIALBEARBEITUNG 3 ELEKTRONIK 4 COMPUTER 5 TELEKOMMUNIKATION 6 SENSOREN 7 AVIONIK 8 MARINETECHNOLOGIE 9 VORTRIEBSTECHNIK 0 ANDERE WAREN---------------------------------------------------------------------Teil A Technologietransfer Teil B Nicht Weiterverbreitung (ABC-Waffentechnologie)---------------------------------------------------------------------A Geräte, Baugruppen und Bauteile N A-Waffen relevante WarenB Prüf- und BW B-Waffen relevante Waren Fertigungseinrichtungen CW C-Waffen relevante WarenC Materialien R TrägertechnologieD SoftwareE Technologie---------------------------------------------------------------------Allgemeine Hinweise zur BewilligungspflichtEine Ausfuhrbewilligung ist auch erforderlich:1. Wenn eine Ware, die nicht erforderlich/wesentlich ist für die Funktion des zu exportierenden Endproduktes, bei der Ausfuhr technisch durch eine Position dieses Abschnittes erfaßt wird (identifizierbar als Listenware).2. Wenn die Ware ein „Spezialteil'' einer durch diesen Abschnitt erfaßten Ware ist, ohne selbst namentlich genannt zu sein. (Spezialteile sind als Bestandteile von Waren zu verstehen, die für diese Waren besonders konstruiert und nur für diese verwendbar sind).3. Für „Technologie'' - für die Entwicklung, die Erzeugung, den Betrieb, die Wartung, usw.., von Waren, die durch diesen Abschnitt erfaßt werden, wenn diese auf Datenträgern jeder Art ausgeführt wird.4. „Technologie'' notwendig für die „Entwicklung'', „Produktion'' oder „Verwendung'' erfaßter Waren gilt als „erfaßt'', auch dann, wenn diese für nichterfaßte Waren anwendbar ist. 1 - MATERIALIEN-------------------------------------------------------------------- ANMERKUNG:A. GERÄTE, BAUGRUPPEN UND BAUTEILE Die Nummern 1R01 bis 1R10 erfassen Einrichtungen, die entwickelt sind für den Gebrauch in Raketensystemen der Nummer 9R01. --------------------------------1A01 Bauteile aus fluorierten Verbindungen;a) Verschlüsse, Dichtungen, Dichtungsmassen und Heizbälge speziell konstruiert zur Verwendung in Luft- und Raumfahrt, die zu mehr als 50% aus von den Nummern 1C09.b oder c erfaßten Materialien gefertigt sind;b) Piezoelektrische Polymere und Copolymere aus Vinylidenfluorid, gefertigt: 1. in Form von Folien oder Filmen; und 2. mit einer Stärke von mehr als 200 mym;c) Verschlüsse, Dichtungen, Dichtungsmassen, Bälge oder Diaphragmen aus Fluorelastomeren, die mindestens ein Vinylether-Monomer enthalten und speziell konstruiert sind zur Verwendung in der Luft- und Raumfahrt sowie Raketentechnik.1A02 Verbundwerkstoff-Strukturen oder Laminate:a) mit einer organischen Matrix und aus Materialien gefertigt, die unter den Nummern 1C10.c, d oder e erfaßt sind; oderb) mit einer Matrix aus Metall oder Kohlenstoff und gefertigt aus: 1. Faserigen und fadenförmigen Kohlenstoffmaterialien mit: a) einem spezifischen Modul von mehr als 10,15 x 10 hoch 6 m; und b) einer spezifischen Zugfestigkeit von mehr als 17,7 x 10 hoch 4 m; oder 2. Materialien, die in der Nummer 1C10.c erfaßt sind.1A03 Erzeugnisse aus nichtfluorierten polymeren Substanzen, die von der Nummer 1C08.a erfaßt sind, in Form von Filmen, Folien, Bändern und Streifen:a) mit einer Dicke von mehr als 0,254 mm; oderb) beschichtet oder laminiert mit Kohlenstoff, Graphit, metallischen oder magnetischen Substanzen. 1R01 Verbundstrukturen, Laminate und Produkte daraus, einschließlich harzimprägnierter Faser-Prepregs und metallbeschichteter Faser-Preforms dafür, speziell konstruiert für die Verwendung in den in Nummer 9R01 genannten Systemen und den in Nummer 9R02 genannten Subsystemen, hergestellt aus organischer Matrix oder Metallmatrix unter Verwendung einer Faser- oder Fadenverstärkung mit einer spezifischen Zugfestigkeit von mehr als 7,62 x 10 hoch 4 m (3 x 10 hoch 6 Inches) und einem spezifischen Modul von mehr als 3,18 x 10 hoch 6 m (1,25 x 10 hoch 8 Inches).B. PRÜF- UND FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN1B01 Ausrüstungen zur Herstellung durch von den Nummern 1A02 oder 1C10 erfaßten Fasern, Prepregs, Vorformen oder Verbundwerkstoffen, wie folgt, und speziell hierfür konstruierte Bauteile und Zubehör: 1R02a) Faserwickelmaschinen, deren a) Fadenwickelmaschinen, deren Bewegungen zur Positionierung, Bewegungen zur Positionierung Umhüllung und Wicklung von und zum Wickeln der Fäden in Fasern in drei oder mehr Achsen drei oder mehr Achsen koordiniert und programmiert und koordiniert und programmiert die speziell konstruiert sind sind und die für die Fertigung zur Fertigung von von Verbundstrukturen oder Verbundwerkstoff-Strukturen oder Laminaten aus Faden- oder Laminaten aus faserigen oder Fasermaterial konstruiert sind, fadenförmigen Materialien; sowie Koordinations- und Programmiersteuerungen.b) Bandlege- oder b) Bandlegemaschinen, deren Spinnkabelplazierungsmaschinen, Bewegungen zur Positionierung deren Bewegungen zum und zum Legen von Bändern und positionieren und legen von Bögen in zwei oder mehr Achsen Bändern, Spinnkabeln oder Folien koordiniert und programmiert in zwei oder mehr Achsen sind und die für die koordiniert und programmiert ist Herstellung von und die speziell konstruiert Luftfahrzeugzellen und sind zur Fertigung von Flugkörperstrukturen aus Flugzeugzellen und Verbundwerkstoff konstruiert Flugkörperstrukturen aus sind. Verbundwerkstoffen;c) Multidirektionale oder c) Flechtmaschinen, einschließlich multidimensionale Webautomaten Adapter und Modifikationskits, oder Verkettungsmaschinen zum Weben oder Flechten von einschließlich Adaptions- und Fasern, die für die Fertigung Abänderungsbausätze zum Weben, von Verbundstrukturen Verketten oder Flechten von konstruiert sind, ausgenommen Fasern zur Fertigung von Textilmaschinen, die für die Verbundwerkstoff-Strukturen, obengenannten ausgenommen Maschinen für die Endverwendungszwecke nicht Textilindustrie, die nicht für modifiziert wurden. obige Zwecke abgeändert sind;d) Ausrüstungen, besonders d) Geräte, die für die Fertigung konstruiert oder adaptiert zur von Faden- oder Fasermaterial Fertigung von Verstärkerfasern konstruiert oder modifiziert wie folgt: wurden: 1. Ausrüstungen zur Umwandlung von Polymerfasern (wie zB Polyacrylnitril, Reyon, Teer- oder Polycarbosilan) in Kohlenstoff-Fasern oder Siliciumkarbidfasern einschließlich besonderer Geräte zum Strecken der Faser unter Hitze; 2. Ausrüstungen zur chemischen Beschichtung aus der Gasphase (CVD) von Elementen oder Verbindungen auf erhitzte Filamentsubstrate zur Fertigung von Siliciumkarbidfasern; 3. Ausrüstungen zum Naßspinnen von hochschmelzender Keramik (wie zB Aluminiumoxid); 4. Ausrüstungen zur Umwandlung von Aluminium, das Faservorstufen enthält, mittels Wärmebehandlung in Aluminiumoxidfasern; 1. Geräte für die Konvertierung von Polymerfasern (zB Polyacrylnitril, Rayon oder Polycarbosilan), die spezielle Vorrichtungen zur Faserbelastung beim Erhitzen aufweisen, 2. Geräte für das Aufdampfen von Elementen oder Verbindungen auf erhitzte Fasersubstrate und 3. Geräte für das Naßspinnen von hitzefesten Keramiken (zB Aluminiumoxid).e) Ausrüstungen zur Fertigung von e) Geräte, die für die spezielle Prepregs, die in Nummer 1C10.e Faseroberflächenbehandlung oder erfaßt sind, mittels Fertigung von Prepregs und Heißschmelzmethode; Preforms konstruiert oder modifiziert wurden. Hinweis: Die in diesem Absatz erfaßten Geräte beinhalten ua. auch Rollmaschinen, Ziehmaschinen, Beschichtungsgeräte, Schneidgeräte und „clicker dies''.f) Ausrüstungen für die zerstörungsfreie 3D-Prüfung mittels Ultraschall oder Röntgentomographie, speziell konstruiert für Verbundwerkstoffe;1B02 Anlagen und Komponenten hierfür, besonders konstruiert zur Fertigung von Metall-Legierungen, Metall-Legierungspulver oder legierten Materialien, die in den Nummern 1C02.a.2, 1C02.b oder 1C02.c erfaßt sind.1B03 Werkzeuge, Prägestempel, Formen oder Befestigungsvorrichtungen für superplastische Formung oder Diffusionsverbindung (superplastic forming or diffusion bonding) von Titan, Aluminium oder deren Legierungen, speziell konstruiert zur Fertigung folgender Produkte: a) Flugkörperstrukturen für die Luft- oder Raumfahrt; b) Motoren für Luft- oder Raumfahrzeuge; oder c) speziell konstruiert für diese Strukturen oder Motoren. 1BW01 Anlagen oder Anlagenteile, die auch geeignet sind zur Erzeugung biologischer Kampfmittel, wie folgt: a) Vollständige Kontainments für Sicherheitsstufe BL3 oder BL4 gemäß „WHO Laboratory Biosafety Manual (Genf 1983)''. b) Fermenter: Fermenter zum Kultivieren pathogener Mikroorganismen, Viren oder zur Produktion von Toxinen, gasdicht, mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Fassungsvermögen gleich oder größer als 300 l; 2. doppelt oder mehrfach gedichtete Verbindungen im Bereich der Dampfzonen; 3. geeignet zur in-situ-Sterilisation in geschlossenem Zustand. --------------------------------- ANMERKUNG: Unter Fermenter sind auch Bioreaktoren, Chemostaten und Durchflußsysteme zu verstehen. --------------------------------- c) Zentrifugalseparatoren: Zentrifugalseparatoren, geeignet zur kontinuierlichen Trennung pathogener Mikroorganismen, gasdicht und mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Durchflußrate größer als 100 l/h; 2. Bauteile aus poliertem rostfreien Stahl oder Titan; 3. doppelt oder mehrfach gedichtete Verbindungen im Bereich der Dampfzonen; 4. geeignet zur in-situ-Sterilisation in geschlossenem Zustand. d) Querstromfiltrieranlagen: Querstromfiltrieranlagen entwickelt für kontinuierliche Trennung pathogener Mikroorganismen, Viren, Toxinen und Zellkulturen, gasdicht und mit allen folgenden Eigenschaften: 1. einer Fläche von größer oder gleich 5 m2; 2. geeignet zur in-situ-Sterilisation. 1CW01 Anlagen oder Anlagenteile, die auch geeignet sind zur Erzeugung chemischer Kampfstoffe: a) Chemische Anlagen oder Anlagenteile, wie folgt, bei denen die Flächen, die mit dem bearbeiteten Chemikal in Berührung stehen, aus folgenden Materialien bestehen: a) Nickel oder Legierungen mit mehr als 40 Gewichtsprozent Nickel; b) Legierungen mit mehr als 25 Gewichtsprozent Nickel und 20 Gewichtsprozent Chrom; c) Glas; d) Graphit (gilt nur für Wärmetauscher). 1. Reaktionskessel mit einem Speicherinhalt von mehr als 0,1 m3 (100 l) und weniger als 15 m3 (15 000 l); 2. Speichertanks und Behälter mit einer Kapazität von mehr als 0,1 m3 (100 l); 3. Wärmetauscher; 4. Destillierkolonnen mit einem Durchmesser von mehr als 0,1 m; 5. Entgasungseinrichtungen oder Kondensoren. b) Ferngesteuerte Fülleinrichtungen, bei denen alle mit der Flüssigkeit in Berührung stehenden Flächen aus folgenden Materialien bestehen: a) Nickel oder Legierungen mit als als 40 Gewichtsprozent Nickel oder b) Legierungen mit mehr als 25 Gewichtsprozent Nickel und 20 Gewichtsprozent Chrom. c) Ventile mit eingebautem Lecksuchanschluß und mehrfach beschichtete Rohre, wie folgt, bei denen alle mit der Flüssigkeit in Berührung stehenden Flächen aus folgenden Materialien bestehen: a) Nickel oder Legierungen mit mehr als 40 Gewichtsprozent Nickel oder b) Legierungen mit mehr als 25 Gewichtsprozent Nickel und 20 Gewichtsprozent Chrom oder c) Fluorpolymere einschließlich PTFE, PVDF, PFA. 1. Faltenbalg-Ventile 2. Membran-Ventile 3. Doppelt gedichtete Ventile 4. Mehrfach beschichtete Rohre d) Pumpen, wie folgt, bei denen alle mit der Flüssigkeit in Berührung stehenden Flächen aus folgenden Materialien bestehen: a) Nickel oder Legierungen mit mehr als 40 Gewichtsprozent Nickel oder b) Legierungen mit mehr als 25 Gewichtsprozent Nickel und 20 Gewichtsprozent Chrom oder c) Fluorpolymere einschließlich PTFE, PVDF, PFA oder d) Tantal. 1. Doppelt gedichtete Pumpen 2. Gekapselte Pumpen 3. Magnetisch angetriebene Pumpen 4. Membran-Pumpen 5. Faltenbalg-Pumpen e) Verbrennungseinrichtungen, konstruiert für Zerstörung von Chemiewaffen oder unter Abschnitt I genannten Vormaterialien, mit speziellen Manipulationseinrichtungen und mit einer mittleren Brennkammertemperatur von mehr als 1 000 Grad C, in denen alle mit Abfallprodukten in Berührung kommenden Flächen aus einem der folgenden Materialien bestehen oder damit ausgekleidet sind: 1. Nickel oder Legierungen mit mehr als 40 Gewichtsprozent Nickel oder 2. Legierungen mit mehr als 25 Gewichtsprozent Nickel und 20 Gewichtsprozent Chrom oder 3. Keramik. f) Gaswarneinrichtungen: 1. geeignet zum Nachweis chemischer Kampfstoffe und in Abschnitt I genannten Vormaterialien sowie von Phosphor, Schwefel, Chlor, Fluor und deren Verbindungen mit einer Konzentration von weniger als 0,3 mg/m3 Luft und für kontinuierlichen Betrieb; 2. geeignet zum Nachweis von Verbindungen mit Anticholinesterase- Aktivität. 1R03 Fertigungstechnologie oder „Fertigungsausrüstung'' (einschließlich speziell dafür konstruierte Komponenten) für a) die Fertigung, Handhabung oder Abnahmeprüfung von Flüssigstoffen oder den in Nummer 1R09 beschriebenen Treibstoffbestandteilen; b) die Fertigung, Handhabung und Abnahmeprüfung sowie das Mischen, Härten, Gießen, Pressen, Bearbeiten und Strangpressen von festen Treibstoffen oder den in Nummer 1R09 beschriebenen Treibstoffbestandteilen. --------------------------------- ANMERKUNGEN: (1) Chargenmischer oder Durchlaufmischer (auch kontinuierliche Mischer genannt) für das Mischen im Vakuum bei 0 bis 13 236 kPa mit Temperaturregelung für die Mischkammer wie folgt: Chargenmischer mit a) einer Gesamtkapazität von 110 Litern (30 Gallonen) oder mehr; und b) mindestens einem exzentrisch montierten Rührer zum Mischen und/oder Kneten. Durchlaufmischer mit a) zwei oder mehr Rührern zum Mischen und/oder Kneten und b) Öffnungsmöglichkeiten der Mischkammer (2) Die folgenden Geräte werden von b) abgedeckt: a) Geräte für die Fertigung von atomisiertem oder kugelförmigem Metallpulver in einer kontrollierten Umgebung, b) Strahlmühlen zum Mahlen oder Zerkleinern von Ammoniumperchlorat, RDX oder HMX. --------------------------------- 1R04 Folgende Geräte zur pyrolytischen Abscheidung und Verdichtung sowie folgende „Technologie'': a) „Technologie'' zur Fertigung pyrolytisch abgeleiteter Materialien, die in einer Form, auf einem Dorn oder einem anderen Substrat aus Vorstufengasen geformt werden, die zwischen 1 300 Grad C und 2 900 Grad C bei einem Druck zwischen 130 Pa (1 mm Hg) und 20 kPa (150 mm Hg) zerfallen, einschließlich Technologie für die Bildung von Vorstufengasen, Durchflußraten und Prozeßsteuerungspläne und - parameter. b) Speziell konstruierte Düsen für die oben genannten Prozesse. c) Geräte und Prozeßsteuerungen sowie speziell dafür konstruierte Software, konstruiert oder modifiziert für die Verdichtung und Pyrolyse von Raketendüsen und Bugspitzen für Wiedereintrittsfahrzeuge aus Strukturverbundmaterial.C. MATERIALIEN1C01 Materialien, speziell konstruiert zur Verwendung als Absorber elektromagnetischer Wellen oder selbstleitende Polymere:a)Materialien zur Absorbierung vonFrequenzen größer als 2 x 10hoch 8 Hz, jedoch kleiner als3 x 10 hoch 12 Hz, ausgenommenfolgende Materialien:1.Haartypabsorber, gefertigt ausnatürlichen oder synthetischenFasern mit nichtmagnetischenZusätzen fürAbsorptionszwecke;2.Absorber, die keinenmagnetischen Verlust aufweisenund deren Einfallsfläche nichtplan ist, einschließlichPyramiden, Kegel, Keilflächenund gewundene Flächen;3.Ebene Absorber:a)gefertigt aus:1.Schaumstoffmaterialien(elastisch oder nicht-elastisch) mitKohlenstoffzusatz oderorganischen MaterialieneinschließlichBindemittel, dieverglichen mit Metall mehrals 5% Echo über eine Bandbreite von mehr als +-15% der Mittenfrequenz dereinstrahlenden Energieliefern und Temperaturenvon mehr als 450 K (177 Grad C) nicht standhalten;oder2.Keramische Materialien,die verglichen mit Metallmehr als 20% Echo übereine Bandbreite von mehrals +-15% der Mittenfrequenz dereinstrahlenden Energieliefern und Temperaturenvon mehr als 800 K(527 Grad C) nichtstandhalten;b)Zugfestigkeit kleiner als7 x 10 hoch 6 N/m2; undc)Druckfestigkeit kleiner als14 x 10 hoch 6 N/m2;-----------------------------------ANMERKUNG: Prüflinge für Absorptionstestsfür Nummer 1C01.a.3.a sollten ein Quadrat von mindestens5 Wellenlängen (der Mittenfrequenz)auf einer Seite sein und im Weitfeld des strahlenden Elementspositioniert sein.-----------------------------------4.Ebene Absorber ausSinterferrit mit:a)einer Dichte von mehr als4,4; undb)einer maximalenBetriebstemperatur von 548K (275 Grad C);-----------------------------------ANMERKUNG: Die Ausnahmen von Nummer 1C01gelten nicht für magnetischeMaterialien für Absorptionszwecke,wenn diese in Anstrichen enthaltensind.-----------------------------------b)Materialien zur Absorbierung vonFrequenzen größer als 1,5 x 10hoch 14 Hz, jedoch kleiner als3,7 x 10 hoch 14 Hz und nichtdurchlässig für sichtbaresLicht;c)eigenleitende Polymermaterialienmit einer gesamten elektrischenLeitfähigkeit von mehr als10 000 S/m (Siemens/Meter) odereinem Schichtwiderstand(Oberflächenwiderstand) vonweniger als100 Ohm/Flächeneinheit auf der Basis eines der folgendenPolymere:1.Polyanilin;2.Polypyrrol;3.Polythiophen;4.Poly-Phenylen-Vinylen;5.Poly-Thienylen-Vinylen;-----------------------------------ANMERKUNG: Die gesamte elektrischeLeitfähigkeit und der Schichtwiderstand(Oberflächenwiderstand) sindmittels ÖNORM zu ermitteln.----------------------------------- 1R05 Materialien, Vorrichtungen und speziell konstruierte Software für reduzierte Observablen wie Radarreflexion, Ultraviolett-/Infrarot-Signaturen und akustische Signaturen (zB Stealth-Technologie) für Anwendungen, die für die Systeme laut Nummern 9R01 oder 9R02 tauglich sind, zB: a) Strukturelle Materialien und Beschichtungen, speziell konstruiert für reduzierte Radarreflexion, b) Beschichtungen einschließlich Anstriche, speziell konstruiert für reduzierte oder speziell zugeschnittene Reflexion oder Emission im Mikrowellen-, Infrarot- oder Ultraviolettspektrum, mit Ausnahme der speziellen Verwendung für die Temperaturregelung von Satelliten,1C02 Metall-Legierungen, Metall-Legierungspulver oder legierte Materialien:a)Metall-Legierungen wie folgt:1.Auf Nickel oder Titanaufbauende Legierungen in Formvon Aluminiden wie folgt, in Rohform oder als halbfertigeProdukte:a)Nickelaluminide, die10 Gewichtsprozent oder mehrAluminium enthalten;b)Titanaluminide, die12 Gewichtsprozent oder mehrAluminium enthalten;2.Metall-Legierungen wie folgt,hergestellt ausMetall-Legierungspulver oderaus speziellen, von Nummer1C02.b erfaßten Materialien:a)Nickellegierungen mit:1.einer Spannung-Bruch-Lebensdauer von10 000 Stunden oder mehrbei 923 K (650 Grad C) undeiner Spannung von 550MPa; oder2.einer Ermüdung beiniedriger Lastspielzahlvon10 000 Zyklen oder mehrbei 823 K (550 Grad C) undeiner maximalen Spannungvon 700 MPa;b)Niobiumlegierungen mit:1.einer Spannung-Bruch-Lebensdauer von10 000 Stunden oder mehrbei 1073 K (800 Grad C)und einer Spannung von 400MPa; oder2.einer Ermüdung beiniedriger Lastspielzahlvon10 000 Zyklen oder mehrbei 973 K (700 Grad C) undeiner maximalen Spannungvon 700 MPa;c)Titanlegierungen mit:1.einer Spannung-Bruch-Lebensdauer von10 000 Stunden oder mehrbei 723 K (450 Grad C) undeiner Spannung von 200MPa; oder2.einer Ermüdung beiniedriger Lastspielzahlvon 10 000 Zyklen odermehr, bei 723 K (450 Grad C) und einer maximalenSpannung von 400 MPa;d)Aluminiumlegierungen miteiner Zugfestigkeit von:1.240 MPa oder mehr bei473 K (200 Grad C); oder2.415 MPa oder mehr bei298 K (25 Grad C);e)Magnesiumlegierungen miteiner Zugfestigkeit von345 MPa oder mehr und einer Abtragungsrate durchKorrosion von weniger als1 mm/Jahr in einer mit 3%wässerigenNatriumchloridlösunggemessen gemäß ÖNORM;-----------------------------------ANMERKUNGEN:1.Die Metall-Legierungen in Nummer 1C02.a sind solche, beidenen das genannte Metall einenhöheren Prozentsatz an Gewichtbesitzt als jedes andere Element.2.Die Spannung-Bruch-Lebensdauerist gemäß ÖNORM zu messen.3.Die Ermüdung bei niedrigerLastspielzahl ist gemäß ASTM-NormE-606 „Recommended Practice forConstant-Amplitude Low-CycleFatigue Testing'' (empfohlenePraxis für Ermüdungsprüfung beikonstanter Amplitude und niedrigerLastspielzahl) oder entsprechendennationalen Normen zu messen. Die Prüfung ist axial bei einemdurchschnittlichenSpannungsverhältnis gleich 1 undeinem Formfaktor (K tief t) gleich1 vorzunehmen. Diedurchschnittliche Spannung wird wiefolgt bestimmt: größte Spannungminus kleinster Spannung dividiertdurch größte Spannung.-----------------------------------b)Metall-Legierungspulver oderspezielles Material für in Nummer 1C02.a erfaßteMaterialien wie folgt:1.Hergestellt aus einer derfolgendenKomponentenanordnungen:a)Nickellegierungen (Ni-Al-X, Ni-X-Al), qualifiziert fürTurbinenteile oder-komponenten, dh. mitweniger als3 nichtmetallischen Teilchen(die während des Herstellungsverfahrenseingeführt werden) größerals 100 mym/10 hoch9 Legierungsteilchen;b)Niobiumlegierungen (Nb-Al-Xoder Nb-X-Al, Nb-Si-X oderNb-X-Si, Nb-Ti-X oderNb-X-Ti);c)Titanlegierungen (Ti-Al-X oder Ti-X-Al);d)Aluminiumlegierungen(Al-Mg-X oder Al-X-Mg,Al-Zn-X oder Al-X-Zn, Al-Fe-X oder Al-X-Fe); odere)Magnesiumlegierungen(Mg-Al-X oder Mg-X-Al); und-----------------------------------ANMERKUNG: X ist gleich einem oder mehreren Legierungselementen.-----------------------------------2.Hergestellt in einerkontrollierten Umgebung durcheines der folgenden Verfahren:a)Vakuumzerstäubung;b)Gaszerstäubung;c)Rotationszerstäubung;d)Splat Quenching;e)Schmelzspinnen und Feinzerkleinerung;f)Schmelzextraktion und Feinzerkleinerung; oderg)Mechanisches legieren;c)Legierte Materialien in Form von nicht-feinzerkleinerten Flocken,Bändern oder dünnen Stäben, diein kontrollierter Umgebung durchSplat Quenching, Schmelzspinnenoder Schmelzextraktionhergestellt und in der Erzeugungvon Metall-Legierungspulver odervon in Nummer 1C02.b erfaßtenspeziellen Materialien verwendetwerden;-----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 1C02 erfaßt keineMetall-Legierungen,Metall-Legierungspulver oderLegierungsmaterialien fürBeschichtungssubstrate.----------------------------------- 1R06 Maraging-Stahl (Stahl, der im allgemeinen einen hohen Nickel- und sehr geringen Kohlenstoffanteil sowie Zusätze zur Altershärtung aufweist) mit einer maximalen Zugfestigkeit von 1,5 x 10 hoch 9 Pa oder mehr, gemessen bei 20 Grad C, in Form von Blechen, Platten oder Rohren mit einer Wandstärke von kleiner oder gleich 5,0 mm. 1R07 Wolfram, Molybdän und Legierungen dieser Metalle in der Form einheitlich kugelförmiger oder atomisierter Partikel mit einem Durchmesser von 500 mym oder weniger und einer Reinheit von 97% oder mehr, zur Herstellung von Komponenten für Raketenmotoren, dh. Hitzeschilder, Düsenmündungen und Schubvektor-Steuerflächen.1C03 Magnetische Metalle jeden Typs und in jeder Form, die eines der folgenden Merkmale aufweisen:a)Relative Anfangspermeabilitätvon 120 000 oder mehr sowie eine Dicke von 0,05 mm oder weniger;-----------------------------------ANMERKUNG: Messungen der Anfangspermeabilität sind anvollständig geglühten Materialiendurchzuführen.-----------------------------------b)Magnetostriktive Legierungenmit:1.einer Sättigungs-Magnetostriktionvon mehr als 5 x 10 hoch -4;oder2.einem magnetomechanischenKopplungsfaktor (k) von mehrals 0,8;oderc)Amorphe Legierungsbänder mit:1.einer Zusammensetzung, diemindestens 75 Gewichtsprozentan Eisen, Cobalt oder Nickelaufweist, und2.einer Sättigungs-Magnetinduktion(Bs) von 1,6 T oder mehr, und:a)einer Dicke von 0,02 mm oderweniger; oderb)einem spezifischenelektrischen Widerstand von2 x 10 hoch -4 Ohm cm odermehr;1C04 Uran-Titan-Legierungen oderWolframlegierungen mit einer Matrix auf der Basis von Eisen,Nickel oder Kupfer und mit allenfolgenden Merkmalen:a)einer Dichte von mehr als17,5 g/cm3;b)einer Elastizitätsgrenze vonmehr als 1250 MPa;c)einer äußersten Zugfestigkeitvon mehr als 1270 MPa, undd)einer Längung von mehr als 8%;1C05 Supraleitfähigezusammengesetzte Leiter miteiner Länge von mehr als 100 moder mit einer Masse von mehrals 100 g:a)Mehrfädige supraleitfähigezusammengesetzte Leiter miteinem oder mehrerenNiob-Titan-Filamenten:1.eingebettet in eine andereMatrix als Kupfer oder eineauf Kupfer aufbauendegemischte Matrix; oder2.mit einer Querschnittflächevon weniger als 0,28 x 10 hoch-4 mm2 (dh. 6 mym im Durchmesser bei rundenFilamenten);b)Supraleitfähige zusammengesetzteLeiter, die aus einem odermehreren supraleitfähigenFilamenten, ausgenommen solchenaus Niobium-Titan, bestehen:1.mit einer kritischenTemperatur bei Magnetinduktiongleich Null von größer als9,85 K (-263,31 Grad C),jedoch kleiner als 24 K(-249,16 Grad C);2.mit einem Querschnitt vonweniger als 0,28 x 10 hoch -4 mm2; und3.die ihren supraleitfähigenZustand bei einer Temperaturvon 4,2 K (-268,96 Grad C)unter Einfluß eines Magnetfelds, das einermagnetischen Induktion von12 T entspricht, bewahren;1C06 Flüssigkeiten und Schmiermaterialien:a)Hydraulikflüssigkeiten, die alsHauptbestandteile eine derfolgenden Verbindungen oderMaterialien enthalten:1.SynthetischeKohlenwasserstofföle oderSilakohlenwasserstofföle mit:a)einem Flammpunkt von mehrals 477 K (204 Grad C);b)einem Fließpunkt bei 239 K(-34 Grad C) oder weniger;c)einem Viskositätsindex 75oder mehr; undd)einer Wärmebeständigkeit bei616 K (343 Grad C);-----------------------------------ANMERKUNG: Im Sinne der Nummer 1C06.a.1enthalten Silakohlenwasserstofföleausschließlich Silicium,Wasserstoff und Kohlenstoff.-----------------------------------oder2.Chlorfluorkohlenwasserstoffemit:a)keinem Flammpunkt;b)einer Selbstentzündungstemperaturvon mehr als 977 K (704 Grad C);c)einem Fließpunkt bei 219 K(-54 Grad C) oder weniger;d)einem Viskositätsindex 80oder mehr; unde)einem Siedepunkt bei 473 K(200 Grad C) oder höher;-----------------------------------ANMERKUNG: Im Sinne der Nummer 1C06.a.2enthaltenChlorfluorkohlenwasserstoffeausschließlich Kohlenstoff, Fluorund Chlor.-----------------------------------b)Schmiermittel, die alsHauptbestandteile eine derfolgenden Verbindungen oderMaterialien enthalten:1.Phenylen- oderAlkylphenylen-Ether oderThioether oder ihreMischungen, die mehr als zweiEther- oderThioetherfunktionen oderMischungen hiervon enthalten;oder2.FluorierteSilikonflüssigkeiten mit einerkinematischen Viskosität vonweniger als 5 000 mm2/s(5 000 Zentistokes), gemessenbei 298 K (25 Grad C);c)Dämpfungs- oderFlotationsflüssigkeiten miteiner Reinheit von mehr als99,8%, die weniger als25 Teilchen mit einer Größe von200 mym oder mehr je 100 mlenthalten und zu mindestens 85%aus einem der folgendenVerbindungen oder Materialienbestehen:1.Dibromtetrafluorethan;2.Polychlortrifluorethylen (nurölige und wachsartigeAbwandlungen); oder3.Polybromtrifluorethylen;-----------------------------------ANMERKUNG: Im Sinne der Nummer 1C06 gilt:a)Der Flammpunkt wird mittels der Cleveland Open Cup-Methode(Flammpunkt offener Tiegel) wiein der Norm ASTM D-92 (ÖNORMC 1122, ÖNORM EN 57,DIN/ISO 2592) beschrieben odernach entsprechenden nationalenNormen bestimmt.b)Der Fließpunkt wird mittels derin der Norm ASTM D-97 (ÖNORM C 1153, DIN/ISO 3016)beschriebenen Methode oder nachentsprechenden nationalen Normenbestimmt.c)Der Viskositätsindex wird nachder in der Norm ASTM D-2270beschriebenen Methode oder nachentsprechenden nationalen Normenbestimmt.d)Die Wärmebeständigkeit wirdmittels nachfolgendemPrüfverfahren oderentsprechender nationalen Normenbestimmt: Zwanzig ml dergeprüften Flüssigkeit werden ineine 46 ml große Kammer ausrostfreiem Stahl Typ 317gegeben, welche Kugeln mit einem Durchmesser von je 12,5 mm(Nenndurchmesser) ausM-10-Werkzeugstahl, 52100 Stahlund seewasserfester Bronze (60% Cu, 39% Zn, 0,75% Sn) enthält.Die Kammer wird mit Stickstoffgereinigt, bei atmosphärischemDruck verschlossen und die Temperatur wird auf 644 +-6 K(371 +-6 Grad C) gebracht undauf diesem Wert sechs Stundenlang gehalten. Die Probe wirddann als wärmebeständigbetrachtet, wenn nachvollständiger Ausführung desoben beschriebenen Verfahrensalle folgenden Bedingungenerfüllt werden:1.Der Gewichtsverlust jederKugel beträgt weniger als10 mg/mm2 der Kugeloberfläche;2.Die Änderung derursprünglichen Viskosität, wiebei 311 K (38 Grad C)bestimmt, beträgt weniger als25%, und3.Die Gesamtsäure- oderGesamtbasenzahl beträgtweniger als 0,40.e)Die Selbstenzündungstemperatur(Anm.: richtig: Selbstentzündungstemperatur)wird mittels der in ASTM E-659(ÖNORM C 1126) beschriebenenMethode oder nach entsprechendennationalen Normen bestimmt.-----------------------------------1C07 Keramische Grundmaterialien, keramische Matrix-Verbundwerkstoffe und Vormaterialien.a)Grundmaterialien aus einfachenoder komplexen Titanboriden, diemetallische Verunreinigungenausgenommen beabsichtigteBeigaben von insgesamt wenigerals 5 000 ppm, einedurchschnittliche Teilchengrößegleich oder kleiner als 5 mymund nicht mehr als 10% Teilchenmit einer Größe von mehr als10 mym aufweisen;b)Keramikmaterialien in Roh- oderHalbfertigform, ausgenommenSchleifmittel, zusammengesetztaus Titanboriden mit einertheoretischen Dichte von 98%oder mehr;c)Keramik-Keramik-Verbundwerkstoffe mit einer Glas- oder Oxidmatrix undverstärkt mit Fasern aus einemder folgenden Systeme:1.Si-N;2.Si-C;3.Si-Al-O-N; oder4.Si-O-N;d)Keramik-Keramik-Verbundwerkstoffe mit oder ohneeiner kontinuierlichenmetallischen Phase, die feinverteilte Teilchen oder Phasenvon faserigen oder ähnlichenMaterialien enthalten, bei denenCarbide oder Nitride vonSilicium, Zirkon oder Bor die Matrix bilden;e)Vormaterialien (das sindspezielle polymere odermetallo-organische Materialien)zur Herstellung einer Phase odervon Phasen der in Nummer 1C07.cerfaßten Materialien wie folgt:1.Polydiorgansilane (zurHerstellung vonSiliciumkarbid);2.Polysilazane (zur Herstellung von Siliciumnitriden); oder3.Polycarbosilazane (zurHerstellung von Keramiken mitSilicium-, Kohlenstoff- und Stickstoffkomponenten); 1R08 a) Für Raketensysteme konstruierte resaturierte, pyrolysierte (dh. Kohlenstoff-Kohlenstoff) Materialien. b) Feinkörnige, rekristallisierte Graphite (mit einer Fülldichte von mindestens 1,72 g/cm3, gemessen bei 15 Grad C), pyrolytische oder faserverstärkte Graphite, die sich für die Verwendung in Raketendüsen und Bugspitzen für Wiedereintrittsfahrzeuge eignen. c) Keramische Verbundstoffe (dielektrische Konstante unter 6 bei Frequenzen zwischen 100 Hz und 10 000 MHz) für die Verwendung in FK-Radomen sowie siliciumkarbidverstärktes, ungebranntes Keramikmaterial, das sich für die Verwendung in Bugspitzen eignet.1C08 Nicht-fluorierte polymereSubstanzena)1. Bismaleimide;2.Aromatische Polyamid-Imide;3.Aromatische Polyimide;4.Aromatische Polyetherimide miteinem Glaspunkt (T tief g) vonmehr als 503 K (230 Grad C)gemessen im Naßverfahren.-----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 1C08.a erfaßt keine nichtschmelzenden Formpressungspulveroder Gußformen;-----------------------------------b)ThermoplastischeFlüssigkristall-Copolymere miteiner Erweichungstemperatur vonmehr als 523 K (250 Grad C),gemessen gemäß ASTM D-648,Methode A, (DIN 53461 = ISO 75)oder gemäß entsprechendernationaler Normen, bei einer Belastung von 1,82 N/mm2 undzusammengesetzt aus:1.bei einem der folgendenStoffe:a)Phenylen, Biphenylen oderNaphthalin; oderb)Methyl-, tertiär-Butyl- oder phenylsubstituiertesPhenylen, Biphenylen oderNaphthalin, und2.einer der folgenden Säuren:a)Terephthalsäure;b)6-Hydroxy-2-Naphthoesäure;oderc)4-Hydroxybenzoesäure;c)Polyarylen-Ether-Ketone wiefolgt:1.Polyether-Ether-Keton (PEEK);2.Polyether-Keton-Keton (PEKK);3.Polyether-Keton (PEK);4.Polyether-Keton-Ether-Keton-Keton (PEKEKK);d)Polyarylen-Ketone;e)Polyarylen-Sulfide, bei denendie Arylengruppe ein Biphenylen, Triphenylen odereine Zusammensetzung hiervonist;f)Polybiphenylenethersulfon;1C09 Unbehandelte fluorierteVerbindungena)Copolymere aus Vinylidenfluoridmit 75% oder mehrBeta-Gefügeausbildung ohneDehnung;b)Fluorierte Polyimide mit 30%oder mehr gebundenem Fluor;c)Fluorierte Phosphazen-Elastomeremit 30% oder mehr gebundenem Fluor;1C10 Faserige und fadenförmige Materialien, die in organischer Matrix-, metallischer Matrix- oder Kohlenstoff-Matrix-Verbundwerkstoff-Strukturen oder Laminaten verwendet werden können:a)Organische faserige undfadenförmige Materialien,ausgenommen Polyethylen, mit:1.einem spezifischen Modul vonmehr als 12,7 x 10 hoch 6 m,und2.einer spezifischenZugfestigkeit von mehr als23,5 x 10 hoch 4 m;b)Faserige und fadenförmigeKohlenstoffmaterialien mit:1.einem spezifischen Modul vonmehr als 12,7 x 10 hoch 6 m,und2.einer spezifischenZugfestigkeit von mehr als23,5 x 10 hoch 4 m;-----------------------------------ANMERKUNG: Eigenschaften der in Nummer1C10.b beschriebenen Materialiensollten mit Hilfe der vom SACMAempfohlenen Methoden SRM 12 bis 17oder entsprechenden nationalenZugtests, wie zB dem JapanischenIndustriestandard JIS-R-7601,Absatz 6.6.2. bestimmt werden undauf einem Losmittel beruhen.-----------------------------------c)Anorganische faserige oderfadenförmige Materialien mit:1.einem spezifischen Modul vonmehr als 2,54 x 10 hoch 6 m;und2.einem Schmelz-, Zersetzungs- oder Sublimationspunkt vommehr als 1 922 K (1 649 Grad C) in einer inerten Umgebung;ausgenommena)diskontinuierliche,mehrphasige, polykristalline Aluminiumoxidfasern in Formvon Schnittfasern oderregellosen Matten, die3 Gewichtsprozent oder mehrSiliciumdioxid enthalten undein spezifisches Modul vonweniger als 10 x 10 hoch 6 maufweisen;b)Molybdän und Molybdän-Legierungsfasern;c)Borfasern;d)DiskontinuierlicheKeramikfasern mit einem Schmelz-, Zersetzungs- oderSublimationspunkt in inerterUmgebung von kleiner als 2043 K (1 770 Grad C);d)Faserige und fadenförmigeMaterialien:1.bestehend aus einem derfolgenden Stoffe:a)Polyetherimide, erfaßt in Nummer 1C08.a; oderb)Materialien, erfaßt in Nummer 1C08.b, c, d, e oderf; oder2.bestehend aus Materialien,erfaßt in Nummer 1C10.d.1.aoder b und vermengt mitanderen von Nummer 1C10.a, boder c erfaßten Fasern;e)Harz- oder teerimprägnierteFasern (Prepregs), metall- oder kohlenstoffbeschichtete Fasern(Vorform) oderKohlenstoff-Faser-Vorformenhergestellt aus:1.faserigen oder fadenförmigenMaterialien, erfaßt in Nummer1C10.a, b oder c; oder2.organischen oderKohlenstoff-Materialien:a)mit einer spezifischenZugfestigkeit von mehr als17,7 x 10 hoch 4 m;b)mit einem spezifischen Modulvon mehr als 10,15 x 10 hoch6 m;c)nicht erfaßt von Nummer1C10.a oder b, undd)falls imprägniert mit vonNummer 1C08 oder 1C09.berfaßten Materialien odermit Phenol- oderEpoxidharzen, die einen Glaspunkt (Tg) von mehr als383 K (110 Grad C)aufweisen;f) Andere Materialien: 1R09 Andere Materialien: a) Antriebsstoffe: 1. Hydrazin mit einer Konzentration von mehr als 70% und seine Derivate, einschließlich Monomethylhydrazin (MMH); 2. Unsymmetrisches Dimethylhydrazin (UDMH); 3. Ammoniumperchlorat; 4. Kugelförmiges Aluminiumpulver, dessen Partikel einen einheitlichen Durchmesser von weniger als 500 x 10 hoch -6 m (500 mym) und einen Aluminiumgehalt von mindestens 97% haben; 5. Metallische Treibstoffe mit einer Partikelgröße von weniger als 500 x 10 hoch -6 m (500 mym), die kugelförmig, atomisiert, rundlich, geflockt oder gemahlen sind und zu mindestens 97% aus einem der folgenden Elemente bestehen: Zirkonium, Beryllium, Bor, Magnesium, Zink und deren Legierungen sowie Mischmetall; 6. Nitroamine (Cyclotetramethylen- Tetranitramin (HMX), Cyclotetramethylen- Trinitramin (RDX)); 7. Perchlorate, Chlorate oder Chromate, die mit Metallpulver oder anderen Hochenergie-Brennstoff- Komponenten gemischt sind; 8. Carborane, Decarborane, Pentaborane und deren Derivate; 9. Flüssige Oxydatoren, wie folgt: a) Distickstofftrioxid; b) Stickstoffdioxid/ Distickstofftetroxid; c) Distickstoffpentoxid; d) Inhibierte rotrauchende Salpetersäure (IRFNA); e) Verbindungen aus Fluor und einem oder mehreren Halogenen, Sauerstoff und Stickstoff. b) Polymere Substanzen: 1. Carboxylbegrenztes Polybutadien (CTPB); 2. Hydroxylbegrenztes Polybutadien (HTPB); 3. Glycidylazidpolymer (GAP); 4. Polybutadienacrylsäure (PBAA); 5. Polybutadienacrylnitril (PBAN). c) Composittreibstoffe, einschließlich gepreßter Treibstoffe mit Leimbindern und Treibstoffe mit nitrierten Bindern; d) Andere hochenergetische Treibstoffe wie zB Borschlamm mit einer Energiedichte von 40 x 10 hoch 6 J/kg oder mehr; e) Andere Treibstoff-Additive und -Mittel: 1. Bindemittel, wie folgt: a) Tris(1-(2-methyl) aziridinyl)phosphinoxid (MAPO); b) Trimesoyl-1(2-ethyl) aziridin (HX-868 - BITA); c) „Tepanol'' (HX-878), Reaktionsprodukt aus Tetraethylenpentamin, Acrylnitril und Glycidol; d) „Tepan'' (HX-879), Reaktionsprodukt aus Tetraethylenpentamin und Acrylnitril; e) Polyfunktionelle Aziridenamide mit Isophthal-, Trimesin-, Isocyanur- oder Trimethyladipin-Hauptgruppe (backbone), die auch eine 2-methyl- oder 2-ethylaziridin-Gruppe (HX-752, HX-874 und HX-877). 2. Härtungsmittel und Katalysatoren, wie folgt: a) Triphenylbismut (TPB); b) Isophorondiisocyanat (IPDI). 3. Brennratenmodifizierer, wie folgt: a) Catocen; b) N-Butylferrocen; c) Butacen; d) Andere Ferrocenderivate. 4. Nitrat-Ester und Nitrat-Weichmacher, wie folgt: a) Triethylenglycoldinitrat (TEGDN); b) Trimethylolethantrinitrat (TMETN); c) 1,2,4-Butantrioltrinitrat (BTTN); d) Diethylenglycoldinitrat (DEGDN). 5. Stabilisatoren, wie folgt: a) 2-Nitrodiphenylamin (NDPA); b) N-Methyl-p-nitroanilin (MNA).D. SOFTWARE1D02 Software zur Entwicklung von aus organischer Matrix, Metallmatrix oder Kohlenstoffmatrix bestehenden Laminaten oder Verbundwerkstoffen.E. TECHNOLOGIE1E01 Technologie gemäß der „General Technology Note'' (Allgemeine Technologienote) zur Entwicklung oder Produktion von Einrichtungen oder Materialien, die von den Nummern 1A01.b, 1A01.c, 1A02, 1A03, 1B oder 1C erfaßt sind.1E02 Andere Technologie 1R10 Technische Datena) Technologie zur Entwicklung oder (einschließlich Produktion von Verarbeitungsmaschinen) und Polybenzothiazolen oder Verfahren zur Temperatur-, Polybenzoxazolen; Druck- oder Atmosphärenregelungb) Technologie zur Entwicklung oder in Autoklaven oder Hydroklaven, Produktion von sofern sie für die Fertigung Fluorelastomer-Verbindungen, die von Verbundstoffen oder mindestens ein teilweise verarbeiteten Vinylether-Monomer enthalten; Verbundstoffen eingesetztc) Technologie zur Konstruktion werden. oder Produktion der folgenden Grundmaterialien oder Keramikmaterialien: 1. Grundmaterialien, die sämtliche folgende Eigenschaften aufweisen: a) eine der folgenden Zusammensetzungen: 1. einfache oder komplexe Oxide aus Zirkonium und komplexe Oxide aus Silicium oder Aluminium; 2. Einfache Nitride aus Bor (kubische kristalline Formen); 3. Einfache oder komplexe Carbide aus Silicium oder Bor; oder 4. Einfache oder komplexe Nitride aus Silicium; b) Insgesamte metallische Verunreinigung, ausgenommen beabsichtigte Beigaben, weniger als: 1. 1 000 ppm für einfache Oxide oder Carbide; oder 2. 5 000 ppm für komplexe Verbindungen oder einfache Nitride, und c) 1. mit einer durchschnittlichen Teilchengröße gleich oder weniger als 5 mym und nicht mehr als 10% der Teilchen mit einer Größe von mehr als 10 mym; oder-----------------------------------ANMERKUNG: Bei Zirkoniumerde betragen dieseGrenzwerte 1 mym bzw. 5 mym;----------------------------------- 2. a) Plättchen mit einem Länge-Dicke-Verhältnis von mehr als 5; b) Haarkristalle mit einem Länge-Dicke-Verhältnis vom mehr als 10 bei Durchmessern von weniger als 2 mym; und c) Kontinuierliche Fasern oder Schnittfasern mit weniger als 10 mym im Durchmesser. 2. Keramikmaterialien, ausgenommen Schleifmittel, bestehend aus in Nummer 1E02.c.1. beschriebenen Materialien;d) Technologie zur Produktion von aromatischen Polyamidfasern;e) Technologie zur Installation, Wartung oder Reparatur von in Nummer 1C01 erfaßten Materialien;f) Technologie zur Reparatur von in Nummer 1A02, 1C07.c oder 1C07.d erfaßten Materialien. 2 - MATERIALBEARBEITUNG--------------------------------------------------------------------A) GERÄTE, BAUGRUPPEN UND BAUTEILE --------------------------------- ANMERKUNG: Die Nummern 2R01 bis 2R03 erfassen Einrichtungen, die entwickelt sind für den Gebrauch in Raketensystemen der Nummer 9R01. ---------------------------------2A01 Kugellager oder feste Rollenlager, ausgenommen Kegelrollenlager, mit vom Hersteller spezifizierten Toleranzen gemäß ABEC 7, ABEC 7P, ABEC 7T oder ISO Normklasse 4 (ÖNORM M 6315/2, ÖNORM M 6318/1, 2 und 3) oder höherwertig (oder entsprechenden nationalen Normen) und mit einem der folgenden Merkmale:a) Ringe, Kugeln oder Rollen aus Monel oder Beryllium;b) hergestellt für einen Einsatz bei Betriebstemperaturen über 573 K (300 Grad C), entweder durch Verwendung besonderer Materialien oder durch besondere Wärmebehandlung; oderc) mit Schmierelementen oder Komponentenabänderungen, die laut Herstellerspezifikationen speziell für einen Betrieb der Kugellager bei Geschwindigkeiten von mehr als 2,3 Mio. DN konstruiert sind;2A02 Andere Kugellager oder feste Rollenlager, ausgenommen Kegelrollenlager, mit vom Hersteller spezifizierten Toleranzen gemäß ABEC 9, ABEC 9P oder ISO Normklasse 2 oder höherwertig (oder entsprechenden nationalen Normen).2A03 Feste Kegelrollenlager mit vom Hersteller spezifizierten Toleranzen gemäß ANSI/AFBMA Klasse 00 (Zoll) oder Klasse A (metrisch) oder höherwertig (ÖNORM M 6315/2, ÖNORM M 6318/1, 2 und 3) (oder entsprechenden nationalen Normen) und mit einem der folgenden Merkmale:a) mit Schmierelementen oder Komponentenabänderungen, die laut Herstellerspezifikationen speziell für einen Betrieb der Kugellager bei Geschwindigkeiten von mehr als 2,3 Mio DN konstruiert sind; oderb) hergestellt sind für einen Einsatz bei Betriebstemperaturen unter 219 K (-54 Grad C) oder über 423 K (150 Grad C);2A04 Gasgeschmierte Folienlager, hergestellt für einen Einsatz bei Betriebstemperaturen von 561 K (288 Grad C) oder höher und einer Belastungskapazität von mehr als 1 MPa.2A05 Aktiv magnetisch geführte Lagersysteme.2A06 Gewebeausgekleidete selbsteinstellende Gleitlager oder gewebeausgekleidete Achsgleitlager, hergestellt für einen Einsatz bei Betriebstemperaturen unter 219 K (-54 Grad C) oder über 423 K (150 Grad C).-----------------------------------ANMERKUNGEN: 1. DN ist das Produkt aus demLagerbohrungsdurchmesser in mm undder Rotationsgeschwindigkeit in UPM(U/min). 2. Betriebstemperaturenbeinhalten auch solcheTemperaturen, die erhalten werden,wenn eine Gasturbine nach Betriebzum Stillstand gekommen ist.-----------------------------------B) PRÜF- UND FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN2B01 Numerische Steuerungen, Bewegungssteuerplatinen, speziell konstruiert für numerische Steuerungsanwendungen bei Werkzeugmaschinen, Werkzeugmaschinen und speziell hierfür konstruierte Bauteile:-----------------------------------ANMERKUNGEN: 1. Sekundäre paralleleBahnachsen, zB die w-Achse anhorizontalen Bohrwerken oder einesekundäre Drehachse, derenMittellinie parallel zurHauptdrehachse verläuft, werdennicht zur Gesamtzahl der Bahnachsenhinzugezählt.ANMERKUNG: Drehachsen müssen nicht über360 Grad drehen. Eine Drehachsekann von einer linearen Vorrichtungangetrieben werden, zB einerSchraube oder einer Zahnstange. 2. Die Nomenklatur für Achsen mußmit der Internationalen NormISO 841 „NumerischeSteuerungsmaschinen - Nomenklaturfür Achse und Triebwerk''(DIN 66217) übereinstimmen.-----------------------------------a) Numerische Steuerungen für Werkzeugmaschinen wie folgt, sowie speziell hierfür konstruierte Bauteile: 1. die mehr als vier Interpolationsachsen haben, die zur Bahnsteuerung simultan koordiniert werden können; oder 2. die zwei, drei oder vier Interpolationsachsen haben, die zur Bahnsteuerung simultan koordiniert werden können; und a) geeignet sind, mittels Echtzeitverarbeitung von Daten während der Bearbeitung den Werkzeugweg, die Vorschubrate und die Spindeldaten abzuändern durch: 1. automatische Berechnung und Änderung von Teileprogrammdaten für das Bearbeiten in zwei oder mehr Achsen mittels Meßzyklen und Zugriffes auf Quelldaten; oder 2. adaptive Steuerung mit mehr als einer gemessenen physikalischen Variablen und deren Verarbeitung mittels eines Rechenmodells (Strategie), um zur Optimierung des Prozeßablaufes eine oder mehrere Bearbeitungsanweisungen zu ändern; b) geeignet sind, direkt (on-line) CAD-Daten zur internen Aufbereitung von Maschinenanweisungen zu empfangen und zu verarbeiten; oder c) geeignet sind, ohne Abänderung und gemäß den technischen Spezifikationen des Herstellers zusätzliche Platinen aufzunehmen, die eine über die in Nummer 2B01 geregelten Werte hinausgehende Erhöhung der Anzahl an Interpolationsachsen, welche zur Bahnsteuerung simultan koordiniert werden können, ermöglichen würden, selbst wenn sie diese zusätzlichen Platinen nicht enthalten;-----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 2B01.a erfaßt keinenumerischen Steuerungen, diea) für nicht von dieser Liste erfaßte Maschinen abgeändert und in solche eingebaut wurden; oderb) speziell für nicht von dieser Liste erfaßte Maschinen konstruiert wurden.-----------------------------------b) Bewegungssteuerplatinen, speziell konstruiert für Werkzeugmaschinen und mit einem der folgenden Merkmale: 1. Interpolation von mehr als vier Achsen; 2. geeignet zur Echtzeitverarbeitung, wie in Nummer 2B01.a.2.a beschrieben; oder 3. geeignet zum Empfang und zur Verarbeitung von CAD-Daten, wie in Nummer 2B01.a.2.b beschrieben;c) Werkzeugmaschinen für abtragende oder spanende Bearbeitung von Metallen, Keramiken oder Verbundwerkstoffen, die gemäß den technischen Spezifikationen des Herstellers mit elektronischen Vorrichtungen zur simultanen Bahnsteuerung auf zwei oder mehr Achsen ausgerüstet werden können, wie folgt: 1. Werkzeugmaschinen zum Drehen, Schleifen, Fräsen oder jeder Kombination hiervon, die: a) zwei oder mehr Achsen haben, die simultan zur Bahnsteuerung koordiniert werden können, und b) eines der folgenden Merkmale haben: 1. zwei oder mehr für eine Bahnbewegung geeignete Drehachsen;-----------------------------------ANMERKUNG: Die c-Achse anKoordinatenschleifmaschinen, dieverwendet wird, um dieSchleifscheiben normal zurArbeitsfläche zu halten, wird nichtals Drehachse angesehen.----------------------------------- 2. eine oder mehrere bewegliche Spindeln;-----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 2B01.c.1.b.2. gilt nur fürWerkzeugmaschinen zum Schleifen undFräsen.----------------------------------- 3. Planlaufabweichung in einer Umdrehung der Spindel weniger (besser) als 0,0006 mm Gesamtmeßuhrausschlag (TIR - Total Indicator Reading);-----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 2B01.c.1.b.3. gilt nur fürWerkzeugmaschinen zum Drehen.----------------------------------- 4. Rundlaufabweichung in einer Umdrehung der Spindel besser als 0,0006 mm Gesamtmeßuhrausschlag; 5. Positioniergenauigkeit mit allen verfügbaren Kompensationen besser als: a) 0,001 Grad auf jeder Rotationsachse; oder 1. 0,004 mm entlang jeder linearen Achse (Gesamtpositionierung) bei Schleifmaschinen; 2. 0,006 mm entlang jeder linearen Achse (Gesamtpositionierung) bei Dreh- und Fräsmaschinen; oder 6. a) eine Positioniergenauigkeit besser als 0,007 mm; und b) eine Schlittenbewegung aus der Ruhelage für alle Schlitten innerhalb 20% einer Bewegungsbefehleingabe von weniger als 0,5 mym;-----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 2B01.c.1.b.5. erfaßt keineFräs- oder Drehwerkzeugmaschinenmit einer Positioniergenauigkeitentlang einer Achse mit allenverfügbaren Kompensationen gleichoder größer (schlechter) als0,005 mm.Kleinstschritt der Bewegungsprüfung(Schlittenbewegung aus Ruhelage):Die Prüfung wird nur danndurchgeführt, wenn dieWerkzeugmaschine mit einerSteuerung ausgestattet ist, derenkleinster Schritt weniger (besser)als 0,5 mym ist.Bereiten Sie die Maschine zurPrüfung gemäß Norm ISO 230.2Absätze 3.1, 3.2 und 3.3(DIN/ISO 230 Teil 2 E) vor.Führen Sie die Prüfung auf jederAchse (jedem Schlitten) derWerkzeugmaschine wie folgt durch:1. Bewegen Sie die Achse über mindestens 50% des Höchstweges in die Plus- und Minusrichtungen zweimal bei höchster Vorschubgeschwindigkeit, im Schnellgang oder im Langsamgang;2. Warten Sie mindestens 10 Sekunden;3. Geben Sie mittels manueller Dateneingabe den kleinsten programmierbaren Schritt der Steuerung ein;4. Messen Sie die Achsenbewegung;5. Deaktivieren Sie die Steuerung mit Hilfe der Servo-Nullstellung, eines Rücksetzens oder jeder anderen Maßnahme, die jedes Signal (Spannung) im Regelkreis löscht;6. Wiederholen Sie die Schritte 2 bis 5 fünfmal, zweimal in der Richtung des Achsweges und dreimal in der entgegengesetzten Richtung des Achsweges, und zwar für insgesamt sechs Prüfpunkte;7. Beträgt die Achsbewegung bei vier der sechs Prüfpunkte zwischen 80% und 120% der kleinsten programmierbaren Eingabe, ist die Maschine ausfuhrbewilligungspflichtig. Bei Drehachsen wird die Messung 200 mm vom Rotationsmittelpunkt entfernt vorgenommen.ANMERKUNGEN:1. Nummer 2B01.c.1. erfaßt keine Rundschleifmaschinen für Außen-, Innen- sowie Außen/Innen-Schleifen, die alle folgenden Merkmale aufweisen: a) nicht-spitzenlose Schleifmaschinen (Schuhtyp); b) beschränkt auf Rundschleifen; c) maximaler Werkstück-Außendurchmesser oder Werkstücklänge von 150 mm; d) nur zwei Achsen, die simultan zur Bahnsteuerung koordiniert werden können; und e) keine c-Bahnachse.2. Nummer 2B01.c.1. erfaßt keine Maschinen, die speziell als Koordinatenschleifmaschinen konstruiert sind und beide der folgenden Merkmale aufweisen: a) Achsen beschränkt auf x, y, c und a, wobei die c-Achse dazu verwendet wird, die Schleifscheibe normal auf die Arbeitsfläche zu halten und die a-Achse zum Schleifen von Mantelkurven konfiguriert ist; und b) eine Rundlaufabweichung der Spindel nicht kleiner (nicht besser) als 0,0006 mm.3. Nummer 2B01.c.1. erfaßt keine Werkzeugschleifmaschinen, die alle folgenden Merkmale aufweisen: a) geliefert als komplette Anlage mit speziell konstruierter Software zur Fertigung von Werkzeugen; b) nicht mehr als zwei simultan für eine Bahnsteuerung koordinierbare Drehachsen; c) Rundlaufabweichung in einer Umdrehung der Spindel nicht kleiner (nicht besser) als 0,0006 mm Gesamtmeßuhrausschlag; und d) die Positioniergenauigkeit mit allen verfügbaren Kompensationen ist weniger (nicht besser) als: 1. 0,004 mm entlang jeder linearer Achsen für Gesamtpositionierung; oder 2. 0,001 Grad für Drehachsen.-----------------------------------2B02 Nicht numerisch gesteuerte Werkzeugmaschinen zur Erzeugung optisch hochwertiger Oberflächen:a) Drehmaschinen mit einem einschneidigen Werkzeug und mit allen nachstehenden Merkmalen: 1. Positioniergenauigkeit des Schlittens weniger (besser) als 0,0005 mm je 300 mm Weg; 2. Schlittenpositionier- Wiederholgenauigkeit in beiden Richtungen weniger (besser) als 0,00025 mm je 300 mm Weg; 3. Rundlaufabweichung und Planlaufabweichung der Spindel weniger (besser) als 0,0004 mm Gesamtmeßuhrausschlag; 4. Winkelablenkung der Schlittenbewegung (Scher-, Rollkreis- und Rollwinkel) weniger (besser) als 2 Bogensekunden Gesamtmeßuhrausschlag über vollen Weg; und 5. vertikale Geradlinigkeit weniger (besser) als 0,001 mm je 300 mm Weg;-----------------------------------ANMERKUNG: Die Schlittenpositionier-Wiederholgenauigkeit R in beideRichtungen einer Achse ist derHöchstwert aus derPositionierwiederholgenauigkeit anjedem Punkt entlang oder um dieAchse und wird gemäß den in Teil2.11 der Norm ISO 230-2: 1988spezifizierten Verfahren undBedingungen bestimmt (DIN/ISO 230Teil 2 E).-----------------------------------b) Schlagfräsmaschinen mit beiden folgenden Merkmalen: 1. Rundlaufabweichung und Planlaufabweichung der Spindel weniger (besser) als 0,0004 mm Gesamtmeßuhrausschlag, und 2. Winkelablenkung der Schlittenbewegung (Scher-, Rollkreis- und Rollwinkel) weniger (besser) als 2 Bogensekunden Gesamtmeßuhrausschlag;2B03 Numerisch gesteuerte oder manuell zu bedienende Werkzeugmaschinen, speziell konstruiert zum Fräsen, Endbearbeiten, Schleifen oder Honen der folgenden Klassen von gehärteten (Rc = 40 oder mehr) Kegelrad- oder Parallelachsengetrieben, sowie speziell hierfür konstruierte Bauteile, Steuerungen und Zubehöre:a) gehärtete Kegelradgetriebe mit einer Güte besser als AGMA 13 (entsprechend ISO 1328 Klasse 4); oderb) gehärtete Stirnrad-, Schraubenrad- und Doppelschraubenradgetriebe mit einem Rollkreisdurchmesser von mehr als 1250 mm und einer Spurkranzbreite von 15% des Rollkreisdurchmessers oder größer mit einer Güte entsprechend AGMA 14 oder besser (entsprechend ISO 1328 Klasse 3);2B04 Isostatische Warmpressen wie folgt, sowie speziell hierfür konstruierte Prägestempel, Modelle, Bauteile, Zubehör und Steuerungen: 2R01 Isostatische Pressen mit den folgenden Merkmalen:a) Maximaler Arbeitsdruck von a) mit einer Temperaturregelung 69 MPa (10 000 psi) oder höher. innerhalb der Druckkammer und mit einem Innendurchmesser von 406 mm oder mehr, undb) mit: b) Konstruiert, um eine 1. einem maximalen Arbeitsdruck kontrollierte Hitzeumgebung von von mehr als 207 MPa; 600 Grad C oder mehr zu 2. einer geregelten erreichen und Arbeitstemperatur von mehr aufrechtzuerhalten und als 1 773 K (1 500 Grad C); c) eine Kammer mit einem oder Innendurchmesser von 254 mm (10 3. einer Vorrichtung zur Inches) oder mehr. Kohlenwasserstoff- Imprägnierung und zum Entfernen gasförmiger Restrückstände; 2R02 Öfen zur chemischen Abscheidung, die für die Verdichtung von Kohlenstoff- Kohlenstoff-Verbundstoffen konstruiert oder modifiziert wurden.-----------------------------------ANMERKUNG: Die Kammerinnenabmessung istjene, in der sowohl dieArbeitstemperatur als auch derArbeitsdruck erreicht werden undkeine Befestigungsvorrichtungenbeinhaltet. Diese Abmessung ist diekleinere von entweder demInnendurchmesser der Druckkammeroder dem Innendurchmesser derisolierten Brennkammer, je nachdem,welche der beiden Kammern sich inder anderen befindet.-----------------------------------2B05 Ausrüstungen, speziell konstruiert zum Auftragen, Bearbeiten und zur Bearbeitungssteuerung von anorganischen Belägen, Beschichtungen und Oberflächenveränderungen wie folgt, für nicht-elektronische Substrate, sowie speziell hierfür konstruierte Bauteile zur maschinellen Beförderung, Positionierung, Bedienung und Steuerung.a) Speicherprogrammierbare (SPC) Ausrüstung für die chemische Beschichtung aus der Gasphase (CVD) mit beiden folgenden Merkmalen: 1. Verfahren abgeändert für: a) pulsierendes CVD; b) thermische Zersetzung mittels Keimbildung (CNTD); oder c) plasmaverstärktes oder plasmagestütztes CVD-Verfahren; und 2. a) mit eingebauten Hochvakuum- (gleich oder weniger als 0,01 Pa) Rotationsdichtungen; oder b) mit im Gerät integrierter In-situ- Schichtdickenkontrolle;b) Speicherprogrammierbare Ionenimplantations-Anlagen mit Strahlströmen von 5 mA oder mehr;c) Speicherprogrammierbare EB-PVD- (Electron Beam Physical Vapor Deposition)-Anlagen mit folgenden Einbauten: 1. Stromversorgungen ausgelegt für über 80 kW; 2. mit einem eingebauten Laser-Regelsystem für den Stand des Flüssigkeitsbads, das die Vorschubgeschwindigkeit des Rohblocks genau regelt, und 3. computergesteuerte Kontrollvorrichtung, die nach dem Prinzip der Photolumineszenz der im Verdampfungsstrom ionisierten Atome arbeitet, zur Steuerung der Sedimentationsrate einer Beschichtung, die zwei oder mehr Elemente enthält;d) Speicherprogrammierbare Plasmaspritz- Fertigungsausrüstung mit einem der folgenden Merkmale: 1. betrieben in geregelter Niederdruckumgebung (gleich oder weniger als 10 kPa, gemessen über und innerhalb 300 mm des Spritzpistolenausgangs) in einer Vakuumkammer, die bis zu 0,01 Pa vor dem Spritzprozeß evakuiert werden kann; oder 2. mit im Gerät integrierter In- situ-Schichtdickenregelung;e) Speicherprogrammierbare Fertigungsausrüstung zum Sputtern, ausgelegt für Stromdichten von 0,1 nA/mm hoch 2 oder höher bei einer Sedimentationsrate von 15 mym/Stunde oder mehr;f) Speicherprogrammierbare Fertigungsausrüstung zur Lichtbogensedimentation mit eingebautem Gitter aus Elektromagneten zum Steuern des Brennpunktes auf der Kathode;g. Speicherprogrammierbare Fertigungsausrüstung zum Ionenbeschichten, die eine In-situ-Messung folgender Parameter ermöglichen: 1. Schichtdicke auf dem Substrat und Wachstumsregelung; oder 2. optische Eigenschaften;-----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 2B05.g erfaßt keineStandard-Ionenbeschichtungsausrüstungen fürFräs- oder Schneidwerkzeuge.-----------------------------------2B06 Koordinaten-Meßmaschinen oder Meßsysteme oder Ausrüstungen wie folgt:a) Computergesteuerte, numerisch gesteuerte oder speicherprogrammierbare Koordinaten-Meßmaschinen, die beide der folgenden Merkmale aufweisen: 1. zwei oder mehr Achsen, und 2. eine eindimensionale Längen-Meßungenauigkeit gleich oder weniger (besser) als (1,25 + L/1 000) mym, geprüft mit einem Prüfling mit einer Genauigkeit von weniger (besser) als 0,2 mym (L ist die gemessene Länge in mm);b) Linear- und Winkel-Meßinstrumente wie folgt: 1. Linearmeßinstrumente mit einer der folgenden Eigenschaften: a) Berührungslose Meßsysteme mit einer Auflösung gleich oder weniger (besser) als 0,2 mym innerhalb eines Meßbereiches bis zu 0,2 mm; b) Linear-Spannungs-Differenz- Transformatoren mit beiden der folgenden Merkmale: 1. Linearität gleich oder kleiner (besser) als 0,1% innerhalb eines Meßbereichs bis zu 5 mm, und 2. Drift gleich oder kleiner (besser) als 0,1%/Tag bei einer Standard-Prüfraum- Umgebungstemperatur +-1 K; oder c) Meßsysteme mit beiden der folgenden Merkmale: 1. ausgestattet mit einem Laser, und 2. die mindestens 12 Stunden lang über einen Temperaturbereich von +-1 K um eine Standardtemperatur und bei einem Standarddruck folgendes beibehalten: a) eine Auflösung über ihren gesamten Meßbereich von 0,1 mym oder weniger (besser), und b) eine Meßungenauigkeit gleich oder weniger (besser) als (0,2 + L/2 000) mym (L ist die gemessene Länge in mm); 2. Winkelmeßinstrumente mit einer Winkelpositionsabweichung gleich oder weniger (besser) als 0,00025 Grad;-----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 2B06.b.2 erfaßt nichtoptische Instrumente, wie zBAutokollimatoren, die parallelgerichtetes Licht zum Erkennen vonWinkelfehlern eines Spiegelsverwenden.-----------------------------------c) Systeme zur simultanen Linear-Winkel-Kontrolle von Halbschalen, die beide der folgenden Merkmale aufweisen: 1. Meßungenauigkeit entlang einer linearen Achse gleich oder kleiner (besser) als 3,5 mym je 5 mm; und 2. Winkelpositionsabweichung gleich oder kleiner (besser) als 0,02 Grad;d) Ausrüstungen zur Messung von Oberflächenfehlern, die die optische Streuung als eine Winkelfunktion mit einer Empfindlichkeit von 0,5 nm oder weniger (besser) messen;-----------------------------------ANMERKUNGEN:1. Werkzeugmaschinen, die als Meßmaschinen verwendet werden können, sind dann erfaßt, wenn sie den für die Werkzeugmaschinenfunktion oder die Meßmaschinenfunktion spezifizierten Kriterien entsprechen oder diese überschreiten.2. Eine in Nummer 2B06 beschriebene Maschine ist dann erfaßt, wenn die Grenzwerte an irgendeinem Punkt innerhalb des Betriebsbereiches überschritten werden.3. Der zur Bestimmung der Meßungenauigkeit verwendete Meßtaster einer Koordinaten-Meßmaschine ist definiert in VDI/VDE 2617, Teile 2, 3 und 4 (teilw. ÖNORM M 1384).4. Alle Meßwerte in Nummer 2B06 stellen zulässige positive und negative Abweichungen vom Sollwert dar, dh. sind nicht das Gesamtband)-----------------------------------2B07 Roboter wie folgt und speziell konstruierte Steuerungen und Endeffektoren:a) geeignet, in Echtzeit eine vollständige dreidimensionale Bildverarbeitung oder vollständige dreidimensionale Szenenanalyse durchzuführen, um damit Programme zu erzeugen oder abzuändern oder um numerische Programmdaten zu erzeugen oder abzuändern:-----------------------------------ANMERKUNG: Die Beschränkung bezüglichSzenenanalyse beinhaltet nicht dieAnnäherung an die dritte Dimensiondurch Bearbeitung unter einemgegebenen Winkel oder begrenzteGrauskalainterpretation zurWahrnehmung von Tiefe oder Struktur(2 1/2 D).-----------------------------------b) speziell konstruiert gemäß nationaler Sicherheitsnormen, für explosionsgefährdete Umgebungen; oderc) speziell konstruiert oder zugelassen als strahlungsfest über das Maß hinaus, das zum Bestand gegen normale industrielle ionisierende Strahlung notwendig ist (dh. nicht für die Nuklear-Industrie).2B08 Baugruppen oder Bestandteile, speziell konstruiert für Werkzeugmaschinen oder für in Nummern 2B06 oder 2B07 erfaßte Ausrüstungen:a) Spindelbaugruppen, bestehend aus Spindeln und Lagern als Mindestbaugruppe, mit Rundlaufabweichung oder Planlaufabweichung in einer Umdrehung der Spindel von weniger (besser) als 0,0006 mm Gesamtmeßuhrausschlag;b) Linearpositions- Rückmeldeeinheiten, zB induktive Geber, Meßskalen, Infrarotsysteme oder Lasersysteme, die eine Gesamtgenauigkeit von weniger (besser) als (800 + (600 x L x 10 hoch -3)) nm aufweisen (L entspricht der tatsächlichen Länge in mm);c) Winkelpositions- Rückmeldeeinheiten, zB induktive Geber, Meßskalen, Infrarotsysteme oder Lasersysteme, die eine Genauigkeit von weniger (besser) als 0,00025 Grad aufweisen;d) Schlittenbaugruppen bestehend aus mindestens Führung, Bett und Schlitten, die alle der folgenden Merkmale aufweisen: 1. Scher-, Rollkreis- und Rollwinkel weniger (besser) als 2 Bogensekunden TIR (Ablesung über den gesamten Meßbereich) über vollen Weg (Referenz: ISO/DIS 230-1 = DIN 8601), 2. eine horizontale Geradlinigkeit von weniger (besser) als 2 mym je 300 mm Länge, und 3. eine vertikale Geradlinigkeit von weniger (besser) als 2 mym je 300 mm Länge;e) Einpunkt- Diamantenschneidemaschinen- Einsätze, die sämtliche folgende Merkmale aufweisen: 1. makellose und spanfreie Schneideenden, wenn 400-fach in jede beliebige Richtung vergrößert; 2. Schneideradius von 0,1 bis einschließlich 5 mm, und 3. Schneideradius- Rundlaufabweichung weniger (besser) als 0,002 mm Gesamtmeßuhrausschlag.2B09 Speziell konstruierte bestückte Leiterplatten und Software hierfür, oder Verbund-Drehtische, die gemäß den Hersteller-Spezifikationen geeignet sind, numerische Steuerungen, Werkzeugmaschinen oder Rückmeldeeinrichtungen auf oder über die in Nummer 2B01, 2B02, 2B03, 2B04, 2B05, 2B06, 2B07 und 2B08 spezifizierten Werte aufzurüsten. 2R03 Vibrationstestausrüstung mit Verwendung von digitalen Steuerungsverfahren und Rückkopplungs- oder Closed-Loop-Testausrüstung hierfür, geeignet für die Vibrationsbeanspruchung eines Systems mit 10 g RMS oder mehr zwischen 20 Hz und 2000 Hz und der Aufbringung von Kräften von 50 kN (11 250 Pfund) oder mehr;D. SOFTWARE2D01 Software, speziell konstruiert oder abgeändert zur Entwicklung, Fertigung oder Verwendung von in Nummern 2A01, 2A02, 2A03, 2A04, 2A05, 2A06, 2B01, 2B02, 2B03, 2B04, 2B05, 2B06, 2B07, 2B08 oder 2B09 erfaßten Geräten.2D02 Spezielle Software:a) Software zur adaptiven Steuerung und mit beiden der nachfolgenden Merkmale: 1. für flexible Fertigungseinheiten, die mindestens aus Ausrüstungen bestehen, wie in b.1 und b.2 der „Definition'' flexible Fertigungseinheit beschrieben; und 2. geeignet, in Echtzeit Programme oder Daten zu erzeugen oder abzuändern, indem sie die mit Hilfe von mindestens zwei Erkennungstechniken erhaltenen Signale simultan verwerten; diese Erkennungstechniken sind: a) automatische Bilderfassung (sichtbares Spektrum) b) Infrarotabbildung c) Schallabbildung (hörbarer Bereich) d) Tastmessung e) Trägheitspositionierung f) Kraftmessung g) Drehmomentmessung.-----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 2D02.a erfaßt keineSoftware, die nur eineUmstrukturierung von funktionellgleicher Ausrüstung innerhalb derflexiblen Fertigungseinheitenbewirkt und vorgespeicherteTeileprogramme sowie einevorgespeicherte Strategie für dieVerteilung der Teileprogrammeverwendet.-----------------------------------b) Software, die anderen als in Nummer 2B01.a/b erfaßten elektronischen Einrichtungen, Fähigkeiten zur numerischen Steuerung gemäß Nummer 2B01 verleiht.E. TECHNOLOGIE2E01 Technologie gemäß der „General Technology Note'' (Allgemeine Technologienote) zur Entwicklung von Ausrüstungen oder Software, die in den Nummern 2A01, 2A02, 2A03, 2A04, 2A05, 2A06, 2B01, 2B02, 2B03, 2B04, 2B05, 2B06, 2B07, 2B08, 2B09, 2D01 oder 2D02 erfaßt sind.2E02 Technologie gemäß der „General Technology Note'' (Allgemeine Technologienote) zur Fertigung von Ausrüstungen, die in den Nummern 2A01, 2A02, 2A03, 2A04, 2A05, 2A06, 2B01, 2B02, 2B03, 2B04, 2B05, 2B06, 2B07, 2B08, 2B09, 2D01 oder 2D02 erfaßt sind.2E03 Andere Technologie.a) Technologie: 1. Zur Entwicklung von interaktiver Graphik als integrierender Bestandteil von numerischen Steuerungen zur Aufbereitung oder Abänderung von Teilprogrammen; 2. Zur Entwicklung von Generatoren für Werkzeugmaschinen-Anweisungen (zB Teileprogramme) aus Konstruktionsdaten, die sich in den numerischen Steuerungen befinden; 3. Zur Entwicklung von Integrations-Software zur Einbindung von Expertensystemen für fortgeschrittene Entscheidungsunterstützung (Advanced Decision Support) für Erzeugungsebenen in numerische Steuerungen;b) Technologie für metallbearbeitende Fertigungsprozesse wie folgt: 1. Technologie zur Konstruktion von Werkzeugen, Prägestempeln oder Befestigungsvorrichtungen, die für die folgenden Verfahren konstruiert sind: a) Superplastische Verformung; b) Diffusions-Schweißen; c) Direktes hydraulisches Pressen; 2. Technische Daten, bestehend aus Verfahrensmethoden oder -parametern wie nachstehend aufgelistet und zur Steuerung von: a) Superplastische Verformung von Aluminiumlegierungen, Titanlegierungen oder Superlegierungen: 1. Oberflächenvorbereitung; 2. Umformungsgeschwindigkeit; 3. Temperatur; 4. Druck; b) Diffusions-Schweißen von Superlegierungen oder Titanlegierungen: 1. Oberflächenvorbereitung; 2. Temperatur; 3. Druck; c) direktwirkendes hydraulisches Pressen von Aluminiumlegierungen oder Titanlegierungen: 1. Druck; 2. Zyklusdauer; d) heißisostatische Verdichtung von Titanlegierungen, Aluminiumlegierungen oder Superlegierungen: 1. Temperatur; 2. Druck; 3. Zyklusdauer;c) Technologie zur Entwicklung oder Fertigung von hydraulischen Streckformenmaschinen und Stempel hierfür zur Fertigung von Flugzeugzellen.-----------------------------------ANMERKUNGEN:1. Der Ausdruck „Beschichtungsverfahren'' beinhaltet Reparatur, Ausbesserung sowie Neubeschichtung.2. Der Ausdruck „legierte Aluminid-Beschichtung'' beinhaltet einfache oder Mehrschritt-Legierungen, bei denen ein Element oder Elemente vor oder während der Aufbringung der Aluminid-Beschichtung durch ein anderes Beschichtungsverfahren sedimentiert werden. Der Ausdruck beinhaltet jedoch nicht die Mehrfachverwendung eines Einschritt- Packungszementierungsverfahrens zur Herstellung von legierten Aluminiden.3. Der Ausdruck „edelmetall-modifizierte Aluminid''-Beschichtungen beinhaltet Mehrschritt-Beschichtungen, bei denen das Edelmetall oder Edelmetalle vor der Aufbringung der Aluminidbeschichtung durch andere Beschichtungsverfahren sedimentiert werden.4. Mischungen bestehen aus infiltriertem Material, abgestuften Zusammensetzungen, Co-Sedimenten und Mehrschicht-Sedimenten und werden unter Verwendung eines oder mehrerer Beschichtungsverfahren, wie sie in der Tabelle spezifiziert sind, erreicht.5. MCrAlX bezieht sich auf eine Beschichtungslegierung, wobei M Cobalt, Eisen, Nickel oder Kombinationen hiervon bedeutet und X Hafnium, Yttrium, Silicium oder Tantal in jeder beliebigen Menge oder andere absichtlich beigemengte Zugaben über 0,01 Gewichtsprozent in verschiedenen Proportionen und Kombinationen, ausgenommen: a) CoCrAlY-Beschichtungen, die weniger als 22 Gewichtsprozent Chrom, weniger als 7 Gewichtsprozent Aluminium und weniger als 2 Gewichtsprozent Yttrium enthalten; b) CoCrAlY-Beschichtungen, die 22 bis 24 Gewichtsprozent Chrom, 10 bis 12 Gewichtsprozent Aluminium und 0,5 bis 0,7 Gewichtsprozent Yttrium enthalten; oder c) NiCrAlY-Beschichtungen, die 21 bis 23 Gewichtsprozent Chrom, 10 bis 12 Gewichtsprozent Aluminium und 0,9 bis 1,1 Gewichtsprozent Yttrium enthalten.6. Der Ausdruck „Aluminiumlegierungen'' bezieht sich auf Legierungen, die eine äußerste Zugfestigkeit von 190 MPa oder mehr, gemessen bei 293 K (20 Grad C), haben.7. Der Ausdruck „korrosionfester Stahl'' bezieht sich auf AISI (American Iron and Steel Institute) 300-Serien oder auf entsprechende nationale Normstähle.8. Hochschmelzende Metalle bestehen aus den folgenden Metallen und ihren Legierungen: Niobium (Columbium), Molybdän, Wolfram und Tantal.9. Sensorfenstermaterialien wie folgt: Aluminiumoxid, Silicium, Germanium, Zinksulfid, Zinkselenid, Galliumarsenid und die folgenden Metallhalogenide: Kaliumiodid, Kaliumfluorid oder Sensorfenstermaterialien mit mehr als 40 mm Durchmesser bei Thalliumbromid und Thalliumbromidchlorid.10. Technologie zur Einschritt-Packungszementierung von festen Tragflächen werden von dieser Gruppe nicht erfaßt.11. Polymere wie folgt: Polyimide, Polyester, Polysulfide, Polycarbonate und Polyethane.12. Modifizierte Zirkonerde bezieht sich auf Zugaben aus anderen Metalloxiden, wie zB Calcium-, Magnesium-, Yttrium-, Hafniumoxide, seltene Erden, usw., zu Zirkonerde zur Stabilisierung bestimmter kristallographischer Phasen und Phasenanordnungen. Wärmesperrebeschichtungen aus Zirkonerde, mit Calcium- oder Magnesiumoxid durch Mischen oder Fusion modifiziert, sind nicht erfaßt.13. Titanlegierungen bezieht sich auf Legierungen für Luft- und Raumfahrt mit einer äußersten Zugfestigkeit von 900 MPa oder mehr, gemessen bei 293 K (20 Grad C).14. Niedrigexpansionsgläser bezieht sich auf Gläser mit einer Wärmeausdehnungszahl von 1 x 10 hoch -7 K hoch -1 oder weniger, gemessen bei 293 K (20 Grad C).15. Dielektrische Schichten sind Beschichtungen, die aus Mehrschicht-Isolationmaterialien konstruiert sind, bei denen die Interferenzeigenschaften einer Struktur, welche sich aus Materialien mit verschiedenen Brechungskoeffizienten zusammensetzt, dazu dienen, verschiedene Wellenlängenbänder zu reflektieren, zu übertragen oder zu absorbieren. Dielektrische Schichten bezieht sich auf mehr als vier dielektrische Schichten oder auf dielektrisch/metallisch zusammengesetzte Schichten.16. Zementiertes Wolframcarbid beinhaltet keine Materialien für Schneide- und Formungswerkzeuge, die aus Wolframcarbid/(Cobalt, Nickel), Titancarbid/(Cobalt, Nickel), Chromcarbid/Nickel- Chrom und Chromcarbid/Nickel bestehen.TECHNISCHE ANMERKUNG:In Spalte 1 der Tabelle spezifizierte Verfahren sind wie folgt definiert: a) CVD-Verfahren (Chemical Vapour Deposition) ist ein Belagsbeschichtungsverfahren oder ein oberflächenveränderndes Beschichtungsverfahren, in dem ein Metall, eine Legierung, ein Verbundwerkstoff, ein Dielektrikum oder eine Keramik auf einem erhitzten Substrat abgelagert werden. Gasförmige Reaktanden zersetzen sich in der Nachbarschaft eines Substrates oder gehen neue Zusammensetzungen ein; daraus ergibt sich eine Sedimentation des gewünschten Elements, der gewünschten Legierung oder des gewünschten Mischungsmaterials auf dem Substrat. Die Energie für diese Zersetzung oder diesen chemischen Reaktionsprozeß kann durch Erhitzen des Substrats, ein Glimmentladungsplasma oder durch Laserbestrahlung geliefert werden.ANMERKUNGEN:1. CVD beinhaltet folgende Verfahren: gerichtete Gasfluß- Out-of-Pack-Sedimentation, Pulsations-CVD, gesteuerte Kernbildungsthermolyse (CNTD = Controlled Nucleation Thermal Decomposition), plasmaerweiterte oder plasmaunterstützte CVD-Verfahren.2. Pack (Packung) bezeichnet ein in eine Pulvermischung getauchtes Substrat.3. Die Herstellung der gasförmigen Reaktanden, die im Out-of-Pack- Verfahren verwendet werden, erfolgt unter Verwendung der gleichen Basisreaktionen und -parameter wie im Packungszementierungsverfahren, ausgenommen, daß das zu beschichtende Substrat nicht mit der Pulvermischung in Berührung steht. b) TE-PVD-Verfahren (Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (Wärmeverdampfung- Physikalisches Sedimentationsverfahren)) ist ein Belagsbeschichtungsverfahren, das in einem Vakuum bei einem Druck von weniger als 0,1 Pa durchgeführt wird und in dem eine thermische Energiequelle zur Verdampfung des Beschichtungsmaterials verwendet wird. Dieses Verfahren führt zur Kondensation oder Sedimentation des verdampften Stoffes auf die in entsprechender Weise positionierten Substrate. Die Zuführung von Gasen in die Vakuumkammer während des Beschichtungsverfahrens zur Synthese von Mischbeschichtungen ist eine gängige Abänderung des Verfahrens. Die Verwendung von Ionen, Elektronenstrahlen oder Plasma, um die Sedimentation der Beschichtung zu aktivieren oder zu unterstützen, ist ebenfalls eine übliche Abänderung bei dieser Technik. Die Verwendung von Überwachungseinrichtungen, um eine Messung von optischen Eigenschaften und Beschichtungsdicken während des Prozesses vorzunehmen, kann ein Leistungsmerkmal dieser Verfahren sein. Spezifische TE-PVD-Verfahren sind wie folgt:1. Elektronenstrahl-PVD verwendet einen Elektronenstrahl zur Erhitzung und Verdampfung des die Beschichtung bildenden Materials;2. Resistive Erhitzungs-PVD setzt elektrisch widerstandsfähige Wärmequellen ein, die einen kontrollierten und einheitlichen Fluß von verdampften Beschichtungssorten herstellen können;3. Laser-Verdampfung verwendet entweder Laserstrahlen mit gepulsten oder kontinuierlichen Wellen, um das die Beschichtung bildende Material zu verdampfen;4. Kathodenbogen-Sedimentation setzt eine selbstverzehrende Kathode des Materials ein, das die Beschichtung bildet, und hat eine Entladung, die durch einen vorübergehenden Kontakt eines Triggers auf der Oberfläche zustande kommt. Die gesteuerte Bewegung des Lichtbogens erodiert die Kathodenoberfläche und schafft ein hochionisiertes Plasma. Die Anode kann entweder ein über einen Isolator an die Peripherie der Kathode angelegter Konus oder die Kammer sein. Substratvorspannung wird für Nicht-Sichtlinien-Sedimentation eingesetzt.ANMERKUNG: Diese Definition beinhaltet keineungeordneteKathodenbogen-Sedimentation mitnicht-vorgespannten Substraten.c) Ionplating ist eine spezielle Abänderung eines gängigen TE-PVD-Verfahrens, bei dem ein Plasma oder eine Ionenquelle zur Ionisierung des zu sedimentierenden Stoffes verwendet und eine negative Vorspannung an das Substrat angelegt wird, um die Extraktion des zu sedimentierenden Stoffes aus dem Plasma zu ermöglichen. Die Einbringung eines reaktiven Stoffes, die Verdampfung von festen Stoffen in der Verfahrenskammer, sowie die Verwendung von Überwachungseinrichtungen zur Messung von optischen Eigenschaften und der Beschichtungsdicken während des Prozesses sind übliche Abänderungen des Verfahrens.d) Packungszementierung ist ein oberflächenveränderndes Beschichtungsverfahren oder Belagsbeschichtungsverfahren, bei dem ein Substrat in eine Pulvermischung (eine Packung) getaucht wird, die aus folgendem besteht: 1. den metallischen Pulvern, die sedimentiert werden sollen (normalerweise Aluminium, Chrom, Silicium oder Kombinationen hiervon); 2. einem Aktivator (normalerweise ein Halidsalz); und 3. einem inerten Pulver, meist Aluminiumoxid. Das Substrat und die Pulvermischung befinden sich in einer Retorte, die auf 1 030 K (757 Grad C) bis 1375 K (1 102 Grad C) so lange erhitzt wird, bis eine Sedimentation der Beschichtung erfolgt.e) Plasmaspritzen ist ein Belagsbeschichtungsverfahren, bei dem eine Spritzpistole (Spritzfackel), die ein Plasma erzeugt und steuert, Pulver oder Drahtbeschichtungsmaterialien aufnimmt, diese schmilzt und sie gegen ein Substrat schleudert, auf dem sich eine vollständig gebundene Beschichtung bildet. Beim Plasmaspritzen unterscheidet man Niederdruck-Plasmaspritzen oder Hochgeschwindigkeits- Plasmaspritzen, das unter Wasser durchgeführt wird.ANMERKUNGEN:1. Niederdruck bedeutet einen Druck niedriger als den Atmosphärendruck der Umgebung.2. Hochgeschwindigkeit bezieht sich auf die Gasgeschwindigkeit am Pistolenausgang und beträgt mehr als 750 m/s, berechnet bei 293 K (20 Grad C) bei 0,1 MPa. f) Schlammsedimentation ist ein oberflächenveränderndes Beschichtungsverfahren oder ein Belagsbeschichtungsverfahren, bei dem ein Metall- oder Keramikpulver mit einem organischen Binder in einer Flüssigkeit suspendiert und durch Spritzung, Eintauchen oder Anstrich auf ein Substrat aufgetragen wird; anschließend erfolgt eine Luft- oder Ofentrocknung oder Wärmebehandlung, um die gewünschte Beschichtung zu erreichen. g) Sputtersedimentation ist ein Belagsbeschichtungsverfahren, das auf einem Impulsübertragungsphänomen beruht. Bei diesem Verfahren werden positive Ionen durch ein elektrisches Feld auf die Oberfläche eines Ziels (Beschichtungsmaterial) hin beschleunigt. Die kinetische Energie der auftreffenden Ionen ist hoch genug, um aus der Zieloberfläche Atome herauszulösen, die sich dann auf einem entsprechend positionierten Substrat ablagern.ANMERKUNGEN:1. Die Tabelle bezieht sich nur auf Trioden-, Magnetron- oder Reaktiv-Sputtersedimentation, die eingesetzt werden, um die Haftung der Beschichtung und die Sedimentationsrate zu erhöhen, sowie auf Radiofrequenz (RF) verstärkte Sputtersedimentation, die zur Verdampfung von nicht- metallischen Beschichtungsmaterialien eingesetzt wird.2. Langsame Ionenstrahlen (weniger als 5 keV) können zur Aktivierung der Sedimentation verwendet werden. h) Ionenimplantation ist ein oberflächenveränderndes Beschichtungsverfahren, bei dem das zu legierende Element ionisiert, durch einen Spannungsgradienten beschleunigt und in die Oberfläche des Substrats eingepflanzt wird. Dies schließt Verfahren mit ein, bei denen die Ionenimplantation simultan zu einer Elektronenstrahl-PVD- Sedimentation oder Sputtersedimentation erfolgt.----------------------------------- 3 - ELEKTRONIK - KONSTRUKTION, ENTWICKLUNG UND FERTIGUNG--------------------------------------------------------------------A) GERÄTE, BAUGRUPPEN UND --------------------------------- BAUELEMENTE ANMERKUNG: Die Nummern 3R01 und 3R02 erfassen Einrichtungen, die entwickelt sind für den Gebrauch in Raketensystemen der Nummer 9R01. -------------------------------------------------------------------ANMERKUNGEN:1. Der Erfassungsstatus der in 3A beschriebenen Geräte, Baugruppen und Bauelemente - außer jenen in Nummer 3A01.a.3 bis 10 -, die speziell entwickelt sind als bzw. die gleichen funktionellen Eigenschaften haben wie andere Einrichtungen, richtet sich nach dem Erfassungsstatus der anderen Einrichtungen.2. Der Erfassungsstatus von integrierten Schaltungen (ICs), beschrieben in Nummer 3A01.a.3 bis 9, die unabänderbar für eine spezifische Funktion programmiert oder entwickelt sind, richtet sich nach dem Erfassungsstatus der anderen Einrichtungen.ANMERKUNG: Kann der Hersteller oder Anwenderden Erfassungsstatus der anderenEinrichtungen nicht bestimmen, sorichtet sich der Erfassungstatusder integrierten Schaltungen nachNummer 3A01.a.3 bis 9.----------------------------------3A01 Elektronische Einheiten und Bauelementea) Integrierte Schaltungen für Universalanwendungen wie folgt:----------------------------------ANMERKUNGEN:1. Der Erfassungsstatus von Halbleiterscheiben (fertig oder unfertig), bei denen die Funktion bereits festgelegt ist, ist nach den Parametern der Nummer 3A01.a zu bewerten.2. Integrierte Schaltungen beinhalten die folgenden Typen: monolithisch integrierte Schaltungen; integrierte Hybridschaltungen; integrierte Multichip-Schaltungen; integrierte Schichtschaltungen, einschließlich integrierte Silicium-Saphir-Schaltungen; integrierte optische Schaltungen.---------------------------------- 1. integrierte Schaltungen, strahlungsfest konstruiert oder entwickelt, um eine Gesamtdosis von 5 x 10 hoch 5 rad (Si) oder höher auszuhalten; 2. integrierte Schaltungen, 3R01 Elektronische Baugruppen und beschrieben in Nummer 3A01.a.3 Bauteile, speziell konstruiert bis a.10, ausgelegt für einen für militärische Zwecke und den Betrieb bei einer Einsatz bei Temperaturen über Umgebungstemperatur unter 219 125 Grad C. K (-54 Grad C) oder über 398 K (+125 Grad C);----------------------------------ANMERKUNG: Die Temperaturgrenzwerte inNummer 3A01.a.2. gelten nicht fürintegrierte Schaltungen für zivileKraftfahrzeug- oderEisenbahntriebwagen.---------------------------------- 3. Mikroprozessor- Mikroschaltungen, Mikrocomputer-Mikroschaltungen und Mikrokontroller- Mikroschaltungen mit einem der folgenden Merkmale:----------------------------------ANMERKUNGEN: Nummer 3A01.a.3. erfaßt keineMikrocomputer-Mikroschaltungen aufSiliciumbasis oder Mikrokontroller-Mikroschaltungen, die eineOperanden-(Daten)Wortlänge von8 Bit oder weniger besitzen undnicht von Anmerkung 2 zu 3A erfaßtsind)---------------------------------- a) einer externen Datenbusbreite von mehr als 32 Bit oder eine Arithmetik- Logik-Einheit (ALU) mit einer Zugriffsbreite von mehr als 32 Bit; b) einer Taktfrequenz von mehr als 40 MHz; c) einer externen Datenbusbreite von 32 Bit oder mehr und fähig, 12,5 Millionen Befehle/Sekunde (MIPS) oder mehr auszuführen; oder----------------------------------ANMERKUNG: Ist der MIPS-Wert nichtspezifiziert, ist der Umkehrwertder durchschnittlichenBefehlszykluszeit (in mys) zuverwenden.---------------------------------- d) mit mehr als einem Daten- oder Befehlsbus oder seriellem Kommunikationsport für eine externe Verknüpfung mit einem Parallelprozessor mit einer Übertragungsgeschwindigkeit von mehr als 2,4 Mbytes/s; 4. integrierte Speicherschaltungen wie folgt: a) elektronische löschbare PROMs (EEPROMs) mit einer Speicherkapazität von: 1. mehr als 1 Mbit/Paket; oder 2. mehr als 256 kbit/Paket und einer maximalen Zugriffszeit von weniger als 80 ns; b) statische RAMs (SRAMs) mit einer Speicherkapazität von: 1. mehr als 1 Mbit/Paket; oder 2. mehr als 256 kbit/Paket und einer maximalen Zugriffszeit von weniger als 25 ns; c) integrierte Speicherschaltungen, die aus einem Verbindungshalbleiter gefertigt sind; 5. integrierte Wandler-Schaltungen wie folgt: a) Analog/Digital-Wandler mit 3R02 Analog Digital-Wandler, einem der folgenden verwendbar in Systemen laut Merkmale: Nummer 9R01, mit einer der nachfolgenden Charakteristiken: 1. einer Auflösung von 8 Bit a) konstruiert im Hinblick auf die oder mehr, jedoch weniger Erfüllung militärischer als 12 Bit, mit einer Spezifikationen für gehärtete Gesamtkonvertierungszeit Ausrüstungen oder bis maximale Auflösung b) konstruiert oder modifiziert von weniger als 10 ns; für militärische Zwecke und von einem der nachstehenden Typen: 2. einer Auflösung von 12 Bit bei einer Gesamtkonvertierungszeit bis maximale Auflösung von weniger als 200 ns; oder 3. einer Auflösung von mehr als 12 Bit bei einer Gesamtkonvertierungszeit bis maximale Auflösung von weniger als 2 mys; b) Digital Analog-Wandler mit 1. Analog Digital-Wandler einer Auflösung von 12 Bit „Mikroschaltkreise'', die oder mehr und einer „strahlungsgehärtet'' sind Einstellzeit von weniger oder alle nachstehenden als 10 ns; Charakteristiken aufweisen: a) ausgestattet mit einer Auflösung von 8 Bits oder mehr, b) ausgelegt für den Betrieb in Temperaturbereichen von unter minus 54 Grad C bis über plus 125 Grad C, und c) hermetisch abgedichtet. 2. Elektrischer Eingang vom Typ Analog Digital-Wandler, gedruckte Schaltkreise oder Module, mit allen nachstehend genannten Charakteristiken: a) ausgestattet mit einer Auflösung von 8 Bits oder mehr, b) ausgelegt für den Betrieb in Temperaturbereichen von unter minus 54 Grad C bis über plus 125 Grad C, und c) ausgestattet mit den unter 1. genannten „Mikroschaltkreisen''. 6. Elektro-optische oder optische integrierte Schaltungen für Signaldatenverarbeitung mit allen folgenden Merkmalen: a) einer oder mehreren internen Laserdioden; b) einem oder mehreren internen Lichterkennungselementen, und c) Hohlleitern; 7. Programmierbare Gate-Arrays mit einem der folgenden Merkmale: a) einer äquivalenten Gatterzahl von mehr als 30 000 (zwei Eingangsgatter); oder b) einer typischen Grundgatter- Verzögerungszeit von weniger als 0,4 ns; 8. Programmierbare Logic-Arrays mit einem der folgenden Merkmale: a) einer äquivalenten Gatterzahl von mehr als 5 000 (zwei Eingangsgatter); oder b) einer Schalt-Frequenz von mehr als 100 MHz; 9. integrierte Schaltungen für Neurale Netze; 10. Kundenspezifische integrierte Schaltungen, bei denen entweder die Funktion oder der Erfassungsstatus der Endausrüstung dem Hersteller nicht bekannt sind, mit einem der folgenden Merkmale: a) mehr als 144 Anschlüsse; b) eine typische Grundgatter- Verzögerungszeit von weniger als 0,4 ns haben; oder c) eine Betriebsfrequenz von mehr als 3 GHz; 11. digitale integrierte Schaltungen, außer jenen in Nummer 3A01.a.3 bis a.10, auf der Basis eines Verbindungshalbleiters und mit einem der folgenden Merkmale: a) einer äquivalenten Gatterzahl von mehr als 300 (2 Eingangsgatter); oder b) einer Schalt-Frequenz von mehr als 1,2 GHz;b) Mikrowellen- oder Millimeterwellen-Bauelemente: 1. Vakuum-Elektro-Röhren und Kathoden wie folgt:----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3A01.b.1. erfaßt keineRöhren, die für einen Betrieb inStandard-Bändern der ZivilenTelekommunikation bei Frequenzenvon nicht mehr als 31 GHzentwickelt oder ausgelegt sind.---------------------------------- a) Wanderfeldröhren wie folgt: 1. mit einer Betriebsfrequenz höher als 31 GHz; 2. mit einem Kathodenheizelement mit einer Einschaltzeit auf RF-Nennleistung von weniger als 3 Sekunden; 3. Gekoppelte Hohlraumröhren oder Abwandlungen hiervon; 4. Helix-Röhren oder Abwandlungen hiervon mit einem der folgenden Merkmale: a) 1. einer Momentanbandbreite von einer halben Oktave oder mehr, und 2. dem Produkt aus durchschnittlicher Nennausgangsleistung (kW) und der Höchstbetriebsfrequenz (GHz) von mehr als 0,2; b) 1. einer Momentanbandbreite von weniger als einer halben Oktave, und 2. dem Produkt aus durchschnittlicher Nennausgangsleistung (kW) und der Höchstbetriebsfrequenz (GHz) von mehr als 0,4; oder c) raumfahrtqualifiziert; b) Cross-Field-Verstärkerröhren mit einer Verstärkung von mehr als 17 dB; c) Imprägnierte Kathoden für Elektro-Röhren mit einem der folgenden Merkmale: 1. Einschaltzeit auf Nennemission von weniger als 3 Sekunden; oder 2. die eine kontinuierliche Emissionsstromdichte bei Nennbetriebsbedingungen von mehr als 5 A/cm2 erzeugen; 2. integrierte Mikrowellenschaltungen oder Mikrowellenmodule mit integrierten monolithischen Schaltungen mit Betriebsfrequenzen von mehr als 3 GHz;----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3A01.b.2. erfaßt keineSchaltungen oder Module für Geräte,die ausschließlich inStandard-Bändern der zivilenTelekommunikation bei Frequenzenvon nicht mehr als 31 GHz betriebenwerden.---------------------------------- 3. Mikrowellentransistoren, ausgelegt für einen Betrieb bei Frequenzen von mehr als 31 GHz; 4. Mikrowellen-Verstärker auf Halbleiterbasis: a) mit einer Betriebsfrequenz von mehr als 10,5 GHz und mit einer Momentanbandbreite von mehr als einer halben Oktave; oder b) mit einer Betriebsfrequenz von mehr als 31 GHz;----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3A01.b.4. erfaßt keinefolgenden Verstärker:1. speziell konstruiert für medizinische Anwendungen;2. speziell konstruiert zur Verwendung in einfachen Lehrbehelfen; oder3. mit einer Ausgangsleistung von nicht mehr als 10 W und speziell konstruiert für: a) industrielle oder zivile Einbruchsicherungs-, Erkennungs- und Alarmsysteme; b) Bewegungsablaufsteuerungs- und Zählsysteme in Verkehr und Industrie; oder c) Systeme zur Erkennung von Luft- oder Wasserverschmutzung.---------------------------------- 5. Elektronisch oder magnetisch abstimmbare Bandpässe oder Sperrfilter mit mehr als 5 abstimmbaren Resonatoren, zur Abstimmung in einem 1,5:1 Frequenzband (f(max)/f(min)) in weniger als 10 mys, mit: a) einer Bandpaß-Bandbreite von mehr als 0,5% der Mittenfrequenz; oder b) einer Sperrfilter-Bandbreite von weniger als 0,5% der Mittenfreqeunz; 6. Mikrowellen-Baugruppen, mit einer Betriebsfrequenz von mehr als 31 GHz; 7. Flexible Hohlleiter, konstruiert für einen Einsatz bei Frequenzen von über 40 GHz;c) akustische Einrichtungen wie folgt und speziell konstruierte Bauelemente hierfür: 1. Vorrichtungen mit akustischen Oberflächenwellen und mit akustischen oberflächennahen Volumenwellen mit: a) einer Trägerfrequenz von mehr als 1 GHz; oder b) einer Trägerfrequenz von 1 GHz oder weniger und: 1. eine Nebenkeulendämpfung von mehr als 55 dB; 2. einem Produkt aus Höchstverzögerungszeit und Bandbreite (Zeit in mys und Bandbreite in MHz ausgedrückt) von mehr als 100; oder 3. einer dispergierenden Verzögerung von mehr als 10 mys;----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3A01.c.1. erfaßt keinespeziell für Haushalts- undUnterhaltungselektronikkonstruierte Bausteine.---------------------------------- 2. Einrichtungen mit akustischen Volumenwellen, die eine direkte Verarbeitung von Signalen bei Frequenzen von mehr als 1 GHz erlauben; 3. akustisch-optische Signalaufbereitungseinrich- tungen, die die Wechselwirkung zwischen akustischen Wellen und Lichtwellen ausnutzen und die eine unmittelbare Aufbereitung von Signalen oder Bildern ermöglichen, einschließlich Spektroanalyse, Korrelation und Konvolution.----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3A01.c.3. erfaßt keineBausteine, speziell konstruiert fürzivile Fernseh-, Video-AM- undFM-Rundfunkeinrichtungen.;----------------------------------d) elektronische Einrichtungen oder Schaltungen mit Bauelementen, gefertigt aus supraleitfähigen Materialien, speziell konstruiert für einen Betrieb bei Temperaturen unter der kritischen Temperatur von mindestens einem der supraleitfähigen Bestandteile, und mit einem der folgenden Merkmale: 1. elektromagnetische Verstärkung: a) bei Frequenzen gleich oder kleiner als 31 GHz mit einem Rauschwert von weniger als 0,5 dB; oder b) bei Frequenzen von mehr als 31 GHz; 2. Stromschaltung für digitale Schaltungen, die supraleitende Gatter mit einem Produkt aus Verzögerungszeit/Gatter (in Sekunden) und der Verlustleistung/Gatter (in Watt) von weniger als 10 hoch -14 J verwenden; oder 3. Frequenzwahl bei allen Frequenzen mit Schwingkreisen mit Q-Werten von mehr als 10 000;e) Hochenergetische Bausteine wie folgt: 1. Batterien wie folgt:----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3A01.e.1. erfaßt keineBatterien mit Volumina gleich oderkleiner 26 cm3 (zB herkömmlicheC-Zellen oder UM-2-Batterien):---------------------------------- a) Primärzellen und Batterien mit einer Energiedichte von mehr als 350 Wh/kg und ausgelegt für einen Betrieb innerhalb eines Temperaturbereiches von unter 243 K (-30 Grad C) bis über 343 K (+70 Grad C); b) wiederaufladbare Zellen und Batterien mit einer Energiedichte von mehr als 150 Wh/kg nach 75 Lade-/Entladezyklen bei einem Entladungsstrom gleich C/5 Stunden (wobei C die Nennkapazität in Ampere- Stunden ist) wenn sie innerhalb eines Temperaturbereiches von unter 253 K (-20 Grad C) bis über 333 K (+60 Grad C) arbeiten;----------------------------------ANMERKUNG: Die Energiedichte wird durchMultiplikation derdurchschnittlichen Leistung in Watt(durchschnittliche Spannung in Voltmal durchschnittlicher Strom inAmpere) mit der Entladungsdauer inStunden bis 75% derLeerlaufspannung, dividiert durchdie Gesamtmasse der Zelle (oderBatterie) in kg erhalten.---------------------------------- c) raumfahrtqualifizierte und strahlungsfeste Solargeneratoren mit einer spezifischen Leistung von mehr als 160 W/m2 bei einer Betriebstemperatur von 301 K (+28 Grad C) unter einer Wolframbeleuchtung von 1 kW/m2 bei 2 800 K (2 527 Grad C); 2. Hochleistungs- Speicherkondensatoren wie folgt: a) Kondensatoren mit einer Folgefrequenz der Entladepulse von weniger als 10 Hz (monostabile Kondensatoren) mit einem der folgenden Merkmale: 1. einer Nennspannung gleich oder größer als 5 kV; 2. einer Energiedichte gleich oder größer als 250 J/kg, und 3. einer Gesamtenergie gleich oder größer als 25 kJ; b) Kondensatoren mit einer Folgefrequenz der Entladepulse von 10 Hz oder mehr (repetition rated capacitors) mit einem der folgenden Merkmale: 1. einer Nennspannung gleich oder größer als 5 kV; 2. einer Energiedichte gleich oder größer als 50 J/kg; 3. einer Gesamtenergie gleich oder größer als 100 J, und 4. einer Lade/Entladezykluszahl gleich oder größer als 10 000; 3. Supraleitende Elektromagnete oder Solenoide, speziell konstruiert zur völligen Ladung oder Entladung in weniger als einer Minute, mit allen folgenden Merkmalen:----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3A01.e.3. erfaßt keinesupraleitenden Elektromagnete oderSolenoide, die speziell fürmedizinische Einrichtungen derKernspintomografie (MRI)konstruiert sind.---------------------------------- a) die höchste während der Entladung gelieferte Energie dividiert durch die Entladungsdauer beträgt mehr als 500 kJ/Minute; b) einem Innendurchmesser der stromführenden Windungen von mehr als 250 mm, und c) ausgelegt für eine Magnetinduktion vom mehr als 8 T oder einer Gesamtstromdichte in der Wicklung von mehr als 300 A/mm2; 4. Schaltungen oder Systeme zur elektromagnetischen Energiespeicherung mit Elementen, gefertigt aus supraleitenden Materialien, speziell konstruiert für einen Betrieb bei Temperaturen unter der kritischen Temperatur von mindestens einem ihrer supraleitenden Bestandteile, mit allen folgenden Merkmalen: a) Resonanzbetriebsfrequenzen von mehr als 1 MHz; b) einer gespeicherten Energiedichte von 1 MJ/m3 oder mehr, und c) einer Entladezeit von weniger als 1 ms; 5. Röntgensysteme des Blitzlichttypes einschließlich Röhren, mit allen folgenden Merkmalen: a) einer Spitzenleistung von mehr als 500 MW; b) einer Ausgangsspannung von mehr als 500 kV, und c) einer Impulsbreite von weniger als 0,2 mys;f) absolute Stellungsgeber für drehende Bewegungen mit einem der folgenden Merkmale: 1. einer Auflösung besser als 1 Teil auf 265 000 (18 Bit-Auflösung) Skalenendwert; oder 2. einer Genauigkeit besser als +-2,5 Bogensekunden.3A02 Universal-Elektronikgerätea) Aufnahmegeräte wie folgt und speziell hierfür konstruierte Test(Prüf)-Bänder: 1. analoge Meß-Magnetband-Geräte einschließlich solcher, die die Aufnahme von digitalen Signalen erlauben (zB mit Verwendung eines HDDR-Moduls (High-Density-Digitalaufnahme- Modul), mit einem der folgenden Merkmale: a) einer Bandbreite von mehr als 4 MHz/elektronischem Kanal oder Spur; b) einer Bandbreite von mehr als 2 MHz/elektronischem Kanal oder Spur und mit mehr als 42 Spuren; oder c) einem Zeitfehler gegenüber der Zeitbasis gemäß IRIG oder EIA-Normen von weniger als +-0,1 mys; 2. digitale Videomagnetband-Geräte mit einer maximalen digitalen Schnittstellen- Übertragungsgeschwindigkeit von mehr als 180 Mbit/s, ausgenommen solchen, speziell konstruiert für Fernsehaufzeichungen gemäß CCIR- oder IEC-Normen und Empfehlungen für zivile Fernsehanwendungen; 3. digitale Meß-Magnetband- Datenaufzeichnungsgeräte mit einem der folgenden Merkmale: a) einer maximalen digitalen Schnittstellen- Übertragungsgeschwindigkeit von mehr als 60 Mbit/s und mit Schrägschrifttechnik; b) einer maximalen digitalen Schnittstellen- Übertragungsgeschwindigkeit von mehr als 120 Mbit/s und mit Festkopftechnik; oder c) raumfahrtqualifiziert;----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3A02.a.3. erfaßt keineanalogen Magnetbandgeräte, die mitHDDR-Umwandlungselektronikausgerüstet und nur für dieAufnahme digitaler Datenkonfiguriert sind.---------------------------------- 4. Geräte mit einer maximalen digitalen Schnittstellen- Übertragungsgeschwindigkeit von mehr als 60 Mbit/s, so konstruiert, daß damit digitale Videomagnetband- Geräte für eine Verwendung als digitale Meßaufzeichnungsgeräte abgeändert werden können.b) Frequenz-Synthesizer sowie Baugruppen mit einer Frequenzumschaltzeit von einer gewählten Frequenz auf eine andere von weniger als 1 ms;c) Signalanalysatoren wie folgt: 1. zur Analyse von Frequenzen über 31 GHz; 2. dynamische Signalanalysatoren mit einer Echtzeit-Bandbreite von mehr als 25,6 kHz, ausgenommen solche, die nur Relativfilter (auch bekannt als Oktav- oder Teiloktavfilter) verwenden;d) Signalgeneratoren mit Frequenzsynthese, die Ausgangsfrequenzen erzeugen, deren Genauigkeit und Kurz- und Langzeit-Stabilität geregelt sind, von der internen geräteeigenen Normalfrequenz abstammen oder von dieser kontrolliert werden, und mit einem der folgenden Merkmale: 1. einer maximalen synthetisierten Frequenz von mehr als 31 GHz; 2. einer Frequenzumschaltzeit von einer gewählten Frequenz auf eine andere von weniger als 1 ms; oder 3. einem Phasenrauschpegel im Einseitenband besser als (126 + 20 logF - 20logf) in dBc/Hz, wobei F die Abweichung von der Betriebsfrequenz in Hz und f die Betriebsfrequenz in MHz ist;----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3A02.d erfaßt keineGeräte, bei denen dieAusgangsfrequenz entweder durch dieAddition oder Subtraktion von zweioder mehrerenKristalloszillatorfrequenzen, oderdurch die Addition oderSubtraktion, gefolgt von einerMultiplikation des Ergebnisses,erzeugt wird.----------------------------------e) Netzwerkanalysatoren mit einer maximalen Betriebsfrequenz von mehr als 31 GHz;----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3A02.e erfaßt keineWobbelfrequenz-Netzanalysatoren miteiner maximalen Betriebsfrequenzvon nicht mehr als 40 GHz und dienicht fernsteuerbar sind (dh.keinen Datenbus für Verbindungenthalten).----------------------------------f) Mikrowellenprüfempfänger mit beiden folgenden Merkmalen: 1. einer maximalen Betriebsfrequenz von mehr als 31 GHz, und 2. Amplitude und Phase ist gleichzeitig meßbar;g) Atomfrequenznominale mit einem der folgenden Merkmale: 1. Langzeitstabilität (Altern) weniger (besser) als 1 x 10 hoch -11/Monat; oder 2. raumfahrtqualifiziert;----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3A02.g.1. erfaßt keinenicht-raumfahrtqualifiziertenRubidium-Standards.----------------------------------h) Emulatoren für Mikroschaltungen, die von Nummer 3A01.a.3 oder 3A01.a.9 erfaßt sind.----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3A02.h erfaßt keineEmulatoren, die für eine Baureihekonstruiert sind, welche mindestenseinen nicht von Nummer 3A01.a.3oder 3A01.a.9 erfaßten Bausteinenthalten.----------------------------------B. PRÜF- UND FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN3B01 Ausrüstungen zur Herstellung oder Prüfung von Halbleiter- Bausteinen oder -Materialien wie folgt und speziell hierfür konstruierte Bauelemente und Zubehöre.a) Speicherprogrammierbare Ausrüstungen zum epitaktischen Wachsen wie folgt: 1. Erzeugung einer Schicht mit einer Gleichmäßigkeit von besser als +-2,5% entlang einer Strecke von 75 mm oder mehr zu erzeugen; 2. Reaktoren zur metallorganisch chemischen Beschichtung aus der Gasphase (MOCVD), speziell konstruiert zum Ziehen von Verbindungshalbleiter- Kristallen mittels chemischer Reaktion zwischen Materialien, die von Nummer 3C03 oder 3C04 erfaßt sind; 3. Molekularstrahl-Ausrüstungen zum epitaktischen Wachsen mit Zuführung;b) speicherprogrammierbare Ausrüstungen zur Ionenimplantation mit einem der folgenden Merkmale: 1. einer Beschleunigungsspannung von mehr als 200 keV; 2. speziell konstruiert und optimiert für einen Betrieb bei Beschleunigungsspannungen von weniger als 10 keV; 3. Direktschreib-Fähigkeit; oder 4. fähig zur Hochenergie- Sauerstoffimplantation in ein erwärmtes Halbleiter-Substrat;c) speicherprogrammierbare Anisotrop-Plasma-Ätz- Ausrüstungen wie folgt: 1. mit Kassetten zu Kassetten-Verfahren mit Schleuse, sowie mit einem der folgenden Merkmale: a) Magnet-Einschluß; oder b) Elektronen-Cyclotron- Resonanz (ECR); 2. speziell konstruiert für in Nummer 3B01.f erfaßte Ausrüstungen und mit einem der folgenden Merkmale: a) Magnet-Einschluß; oder b) Elektronen-Cyclotron- Resonanz (ECR);d) speicherprogrammierbare plasmaverstärkte CVD-Ausrüstungen wie folgt: 1. mit Kassetten zu Kassetten- Verfahren mit Schleuse, sowie mit einem der folgenden Merkmale: a) Magnet-Einschluß; oder b) Elektronen-Cyclotron- Resonanz (ECR); 2. speziell konstruiert für in Nummer 3B01.f erfaßte Ausrüstungen und mit einem der folgenden Merkmale: a) Magnet-Einschluß; oder b) Elektronen-Cyclotron- Resonanz (ECR);e) speicherprogrammierbare multifunktionelle Systeme mit gebündeltem Ionenstrahl, speziell konstruiert zur Fertigung, Reparatur, physischen Layoutanalyse und Prüfung von Masken oder Halbleiter-Bauelementen, mit einem der folgenden Merkmale: 1. Strahlpositionsregelung mittels Rückmeldung vom Objekt mit einer Genauigkeit von 0,25 mym oder kleiner; oder 2. Digital/Analog-Umwandlung mit einer Auflösung vom mehr als 12 Bit;f) speicherprogrammierbare Mehrkammer-Wafer-Manipulatoren mit Anschlüssen zum Beschichten, an die mehr als zwei Halbleiter- Bearbeitungsausrüstungen angeschlossen werden können, damit ein in einer Vakuumumgebung integriertes System zur sequentiellen Mehrfach-Wafer-Bearbeitung entsteht;----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3B01.f erfaßt keinerobotergesteuertenWafer-Manipulatoren, die nicht füreinen Betrieb in einerVakuumumgebung konstruiert sind.----------------------------------g) speicherprogrammierbare Lithographieausrüstungen wie folgt: 1. Justier- und Step-and-repeat- Ausrüstungen zur Wafer-Bearbeitung mit photo-optischen oder Röntgenstrahl-Methoden mit einem der folgenden Merkmale: a) einer Licht-Wellenlänge kürzer als 400 nm; b) einer numerischen Apertur von mehr als 0,40; oder c) einer Justiergenauigkeit von +-0,20 mym (3 Sigma) oder besser;----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3B01.g erfaßt keineJustier- und Belichtungs-Step-and-repeat-Ausrüstungen, die allefolgenden Merkmale aufweisen:1. eine Licht-Wellenlänge vom 436 nm oder mehr;2. eine numerische Apertur von 0,38 oder weniger, und3. einen Bilddurchmesser vom 22 mm oder weniger;---------------------------------- 2. speicherprogrammierbare Ausrüstungen, speziell konstruiert zur Maskenherstellung oder Halbleiter-Baulelemente- (Anm.: richtig: Bauelemente-) Bearbeitung unter Verwendung von gelenkten gebündelten Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder Laserstrahlen, mit einem der folgenden Merkmale: a) einem Lichtpunkt kleiner als 0,2 mym; b) Erzeugung eines Musters mit einer Auflösung von weniger als 1 mym; oder c) einer Justiergenauigkeit von mehr als +/-0,20 mym (3 Sigma);h. Masken oder Strichplatten wie folgt: 1. für integrierte Schaltungen, erfaßt in Nummer 3A01;2. Mehrschichtmasken mit einer Phasenkompensationsschicht;i. speicherprogrammierbare Prüfausrüstungen, speziell konstruiert zur Prüfung von Halbleiter-Bauelementen und nicht-gekapselten Chips wie folgt: 1. zur Prüfung von S-Parametern von Transistor-Bauelementen bei Frequenzen von mehr als 31 GHz; 2. zur Funktions(Wahrheitstabelle)- Prüfung integrierter Schaltungen und Baugruppen hiervon bei einer Änderungsgeschwindigkeit des Bit-Musters von mehr als 40 MHz durchzuführen;----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3B01.i.2. erfaßt keinePrüfausrüstungen, speziellkonstruiert für das Prüfen von:a. Baugruppen oder einer Baugruppenklasse für Haushalts- und Unterhaltungselektronik;b. nichterfaßten elektronischen Bauteilen, Baugruppen oder integrierten Schaltungen.---------------------------------- 3. integrierte Mikrowellenschaltungen auf Frequenzen von mehr als 3 GHz;----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3B01.i.3. erfaßt keinePrüfausrüstungen, speziellkonstruiert zur Prüfung vonintegriertenMikrowellenschaltungen, dieausschließlich in Standard-Bändernder zivilen Telekommunikation aufFrequenzen von nicht mehr als31 GHz arbeiten.---------------------------------- 4. Elektronenstrahlsysteme, konstruiert für einen Betrieb auf oder unter 3 keV, oder Laserstrahlsysteme zur berührungslosen Prüfung von in Betrieb genommenen Halbleiter- Bauelementen mit beiden folgenden Merkmalen: a) Stroboskop mit Strahlverdunkelung oder Detektorstroben, und b) einem Elektronen-Spektrometer zur Spannungsmessung mit einer Auflösung von weniger als 0,5 V;----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3B01.i.4. erfaßt keineRaster-Elektronenmikroskope,ausgenommen wenn diese zurberührungslosen Prüfung von inBetrieb genommenen Halbleiter-Bauelementen speziell konstruiertund instrumentiert sind.----------------------------------C. MATERIALIEN3C01 Heteroepitaxiale Materialien, die aus einem Substrat mit geschichteten epitaxial gewachsenen Mehrfachschichten bestehen.a) Silicium;b) Germanium; oderc) III/V-Verbindungen aus Gallium oder Indium.ANMERKUNG: III/V-Verbindungen sindpolykristalline oder binäre bzw.komplexmonokristalline Erzeugnisse,bestehend aus Elementen der GruppenIIIA und VA des Periodensystems derchemischen Elemente(Gallium-Arsenid,Gallium-Aluminium-Arsenid,Indium-Phosphid, usw.).-----------------------------------3C02 Photoresists und Substrate, die mit vom Embargo erfaßten Photoresists beschichtet sind.a) Positive Photoresists mit einer zur Verwendung unter 370 nm optimierten Spektralempfindlichkeit;b) Alle Photoresists zur Verwendung mit Elektronenstrahlen oder Ionenstrahlen und mit einer Empfindlichkeit von 0,01 mycoulomb/mm2 oder besser;c) Alle Photoresists zur Verwendung mit Röntgenstrahlen und mit einer Empfindlichkeit von 2,5 mJ/mm2 oder besser;d) Alle Photoresists, optimiert für Oberflächenabbildungs- technologien, einschließlich Silyat Photoresists.-----------------------------------ANMERKUNG: Silyationstechniken sind alsVerfahren definiert, die eineOxidation der Photoresistoberflächebeinhalten, um die Leistung sowohlfür Naß- als auchTrockenentwicklung zu verbessern.-----------------------------------3C03 Metallorganische Verbindungen aus Aluminium, Gallium oder Indium mit einer Reinheit (Metallbasis) von mehr als 99,999%.3C04 Hydride aus Phosphor, Arsen oder Antimon mit einer Reinheit von mehr als 99,999%, auch bei Lösung in Neutralgasen.-----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3C04 erfaßt keine Hydride,die weniger als 20% Molarität anEdelgasen oder Wasserstoffenthalten.-----------------------------------D. SOFTWARE3D01 Software, speziell konstruiert zur Entwicklung oder Herstellung von in Nummern 3A01.b bis 3A01.f, 3A02 und 3B01 erfaßten Ausrüstungen.3D02 Software, speziell konstruiert zur Verwendung von in Nummer 3B01 erfaßten speicherprogrammierbaren Ausrüstungen.3D03 Computer-Aided-Design-(CAD-) Software für Halbleiter-Bauelemente oder integrierte Schaltungen mit einem der folgenden Merkmale:a) Entwurfs- oder Schaltungsüberprüfungsvor- schriften;b) Simulation des physischen Layouts der Schaltungen; oderc) lithographische Bearbeitungssimulatoren für den Entwurf.-----------------------------------ANMERKUNG: Ein lithographischerBearbeitungssimulator ist einSoftwarepaket, das in derEntwurfsphase zur Definierung derAbfolge von Lithographie-, Ätzungs-und Sedimentationsschritten zurÜbertragung von Maskenmustern inspezifische topographische Musterbei Leitern, Dielektrika oderHalbleitermaterialien verwendetwird.ANMERKUNG: Nummer 3D03 erfaßt keineSoftware, speziell konstruiert zurSchemaeintragung, logischenSimulation, Plazierung und Routing,Layout-Überprüfung oderProzeßgenerations-Bandaufnahme;ANMERKUNG: Bibliotheken, Entwurfshilfen oderzugehörige Daten zum Entwurf vonHalbleiter-Bauelementen oderintegrierten Schaltungen werden alsTechnologie angesehen.-----------------------------------E. TECHNOLOGIE3E01 Technologie gemäß der „General Technology Note'' (Allgemeine Technologienote) zur Entwicklung oder Herstellung von Geräten oder Materialien, die in den Nummern 3A01, 3A02, 3B01, 3C01, 3C02, 3C03 oder 3C04 erfaßt sind.-----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 3E01 erfaßt keineTechnologie zur Entwicklung oderHerstellung von:a. Mikrowellen-Transistoren, die bei Frequenzen von unter 31 GHz arbeiten;b. integrierten Schaltungen der Nummer 3A01.a.3 bis a.11, die beide folgenden Merkmale aufweisen: 1. Technologie von 1 mym oder mehr verwenden, und 2. keine Mehrschicht-Strukturen beinhalten.ANMERKUNG: Diese Anmerkung schließt denExport von Mehrschicht-Technologiefür Bauelemente, die höchstens zweiMetallschichten und zweiPolysiliciumschichten beinhalten,nicht aus.-----------------------------------3E02 Andere Technologie zur Entwicklung oder Herstellung von:a) Vakuum-Mikroelektronik- Bauelemente;b) heterostrukturierte Halbleiter-Bauelemente wie zB modulations-dotierte Feldeffekttransistoren (HEMT), hetero-bipolare Transistoren (HBT), Potentialtopf- oder Superkristallgitter-Bauelemente;c) Elektronische Supraleiter-Bauelemente; 4 - COMPUTER-------------------------------------------------------------------------------------------------------ANMERKUNGEN: ---------------------------------1. Rechner, verwandte Geräte oder ANMERKUNG: Software für Telekommunikations-Die Nummer 4R01 erfaßt oder Local Area Einrichtungen, die entwickelt sind Network-Funktionen sind auch für den Gebrauch in nach den Leistungsmerkmalen der Raketensystemen der Nummer 9R01. Gruppe 5 - Telekommunikation - --------------------------------- zu bewerten.ANMERKUNGEN:1. Steuereinheiten, die Busse oder Kanäle von Zentraleinheiten, Hauptspeichern oder Plattensteuerungen direkt verbinden, sind nicht als Telekommunikationsgeräte nach den Leistungsmerkmalen der Gruppe 5 - Telekommunikation - zu bewerten.2. Software, die ein Routing oder Switching von datagram-Paketen oder von fast select-Paketen ermöglicht (dh. Richtungswahl je Paket), oder Software, besonders entwickelt für die Paketvermittlung, ist in der Gruppe 5 - Telekommunikation - erfaßt.3. Rechner, verwandte Geräte oder Software mit kryptographischen bzw. kryptoanalytischen Funktionen, zur Gewährleistung verfügter vielstufiger Sicherheit oder verfügten Teilnehmerausschlüssen oder Funktionen zur Limitierung elektromagnetischer Verträglichkeit (EMV) sind auch nach den Leistungsmerkmalen der Gruppe 5 - Informationssicherung - zu bewerten.-----------------------------------A) GERÄTE, BAUGRUPPEN UND BAUTEILE4A01 Elektronenrechner und 4R01 Analogrechner, verwandte Geräte wie folgt sowie Digitalrechner oder digitale Baugruppen und besonders Differentialanalysatoren, konstruierte Bauteile hierfür: konstruiert oder modifizierta) besonders konstruiert für den für die Verwendung in den Betrieb unter einer der im Systemen laut Nummer 9R01, mit folgenden aufgezählten einer der nachfolgenden Bedingungen: Charakteristiken:1. bestimmt für den Betrieb bei a) ausgelegt für den Dauerbetrieb Umgebungstemperaturen unterhalb bei Temperaturen von unter 228 K (-45 Grad C) oder oberhalb -45 Grad C bis über 55 Grad C;343 K (+70 Grad C) oder b) konstruiert als robustes Gerät oder „strahlungsgehärtet''. --------------------------------- ANMERKUNG: Die Ausrüstung kann als Teil eines bemannten Fluggeräts oder Satelliten exportiert werden oder in entsprechenden Stückzahlen als Ersatzteile für bemannte Fluggeräte. --------------------------------------------------------------------ANMERKUNG: Nummer 4A01.a.1. gilt nicht fürRechner, besonders konstruiert zur Verwendung in zivilenKraftfahrzeugen oder in der Eisenbahnbetriebs-Elektronik.-----------------------------------2.strahlungsgesichert beiÜberschreitung eines derfolgenden Grenzwerte:a)Gesamtdosis 5 x 10 hoch 5rad (Si)b)Obergrenze der Strahlungsdosis 5 x 10 hoch8 rad (Si) oderc)obere Fehlerrate 1 x 10 hoch-7 Bitfehler je Tagb)mit Eigenschaften oderFunktionen, die die Grenzwerteder Gruppe 5 -Informationssicherung -überschreiten.4A02 Hybridrechner wie folgt sowieBaugruppen und besonderskonstruierte Bauteile hierfür:a)mit von Nummer 4A03 erfaßtenDigitalrechnern,b)mit Analog/Digital- oderDigital/Analog-Wandlern, diefolgende Eigenschaften haben:1.32 oder mehr Kanäle und2.Auflösung größer oder gleich14 Bit (ohne Vorzeichen) bei Umwandlungsfrequenzen vongrößer oder gleich200 000 Umwandlungen/s.4A03 Digitalrechner, Baugruppenund verwandte Geräte wie folgtund besonders konstruierte Bauteile hierfür:-----------------------------------ANMERKUNGEN:1.Nummer 4A03 schließtVektorrechner, Array-Rechner,Logikrechner und Geräte fürBildverarbeitung oderSignaldatenverarbeitung ein.2.Der Erfassungsstatus von in Nummer 4A03 beschriebenenDigitalrechnern oder verwandtenGeräten richtet sich nach dem Erfassungsstatus anderer Geräteoder Systeme, soferna)die Digitalrechner oder dieverwandten Geräte wesentlichsind für den Betrieb deranderen Geräte oder Systeme,b)die Digitalrechner oder dieverwandten Geräte nicht einen Hauptbestandteil der anderenGeräte oder Systeme darstellenund ERGÄNZENDE ANMERKUNG:1.Der Erfassungsstatus von in Nummer 4A03.g beschriebenenGeräten zur Signaldatenverarbeitung oderBildverarbeitung, besonderskonstruiert für (den Einbau in)andere Einrichtungen unterEinhaltung der Funktionsgrenzwerte dieseranderen Einrichtungen, wirddurch den Erfassungsstatus deranderen Einrichtungen auch dannbestimmt, wenn das Kriterium des Hauptbestandteils nicht mehrerfüllt ist.2.Die Erfassung vonDigitalrechnern oder verwandtenGeräten fürTelekommunikationseinrichtungenrichtet sich nach Gruppe 5 -Telekommunikation -.c)die Technologie für die Digitalrechner und verwandtenGeräte in Nummer 4E geregeltist.3.Digitalrechner oder verwandteGeräte werden von Nummer 4A03nicht erfaßt, sofern-----------------------------------a)sie wesentlich sind fürmedizinische Anwendungen,b)das Gerät durch die Art seinerKonstruktion und Leistungmaßgeblich auf medizinischeAnwendungen beschränkt ist,c)das Gerät keine andereanwenderzugänglicheProgrammierbarkeit hat als die Möglichkeit, Originalprogrammeoder geänderte Programme, dievom Originalherstellergeliefert werden, einzufügen,d)die zusammengesetztetheoretische VerarbeitungsrateCTP eines Digitalrechners, dernicht für die medizinischeAnwendung konstruiert oderabgewandelt wurde, für diesejedoch wesentlich ist, 20 MioTOPS (Millionen theoretischer Operationen je Sekunde) nichtüberschreitet unde)die Technologie für die Digitalrechner oder verwandtenGeräte in Nummer 4E geregeltist.a)konstruiert für kombiniertesErkennen, Verstehen und Interpretieren von Bildern oderzusammenhängender Sprache,b)konstruiert oder abgewandelt für Systeme mit Fehlertoleranz,-----------------------------------ANMERKUNG:Digitalrechner und verwandte Gerätegelten nicht als konstruiert oderabgewandelt für Systeme mitFehlertoleranz im Sinne der Nummer4A03.b, wenn sie eine der folgendenFunktionen verwenden:1.Fehlererkennungs- oderFehlerkorrekturalgorithmen im Hauptspeicher2.die gegenseitige Verbindungzweier Digitalrechner in der Weise, daß bei Ausfall deraktiven Zentraleinheit einemitlaufende Zentraleinheit die Aufgaben des Systems fortführenkann,3.die gegenseitige Verbindungzweier Zentraleinheiten überDatenkanäle oder gemeinsameSpeicher in der Weise, daß einemitlaufende Zentraleinheit biszum Ausfall der aktivenZentraleinheit andere Funktionenausführen kann und ab diesem Zeitpunkt die Aufgaben des Systems übernimmt, oder4.die Synchronisierung zweierZentraleinheiten mittelsSoftware in der Weise, daß diemitlaufende Zentraleinheit den Ausfall der aktivenZentraleinheit erkennt, um danndie Aufgaben der ausfallenden Zentraleinheit zu übernehmen.-----------------------------------c)Digitalrechner mit einerzusammengesetzten theoretischenVerarbeitungsrate CTP von mehrals 12,5 Mio TOPS (Millionentheoretischer Operationen jeSekunde),d)Baugruppen, besonderskonstruiert oder abgewandelt zum Zwecke der Laufzeitverbesserungdurch Zusammenschalten von Rechenelementen wie folgt:-----------------------------------ANMERKUNGEN:1.Nummer 4A03.d gilt nur fürBaugruppen und programmierbare Zusammenschaltungen vonRechenelementen, die die Grenzwerte der Nummer 4A03.cnicht überschreiten, soweit siein nicht-integriertem Zustand(als einzelne Baugruppen)geliefert werden. Nummer 4A03.dgilt nicht für Baugruppen, die(schon) aufgrund ihrerKonstruktion auf eine Verwendungals von Nummer 4A03.e bis kerfaßte verwandte Gerätebeschränkt sind.2.Nummer 4A03.d erfaßt keineBaugruppen, besonderskonstruiert für Produkte oderProduktfamilien, derenMaximalkonfiguration den Grenzwert der Nummer 4A03.cnicht überschreiten.-----------------------------------1.entwickelt für den Zusammenschluß von 16 odermehr Rechenelementen zu einer Konfiguration oder2.ausgestattet mit einermaximalen gesamten Datenrategrößer als 40 Mbytes/s aufallen zur Verfügung stehendenVerbindungen eines Rechenelements zu anderenRechenelementen.e)Plattenlaufwerke und Halbleiterspeicher wie folgt:1.Laufwerke für Magnetplatten,überschreibbare optische odermagnetooptische Speicher miteiner höchstenBit-Übertragungsrate größerals 25 Mbit/s.2.Halbleiterspeicher, nicht alsHauptspeicher eingesetzt (auchbekannt als „solid statedisks'' oder „RAM disks''),mit einer höchsten Bit-Übertragungsrate größer als 36Mbit/s.f)Eingabe-/Ausgabesteuerungen,konstruiert zur Verwendung fürvon Nummer 4A03.e erfaßteGeräte,g)Geräte fürSignaldatenverarbeitung oderBildverarbeitung mit einerzusammengesetzten theoretischenVerarbeitungsrate von mehr als8,5 Mio TOPS (Millionentheoretischer Operationen jeSekunde),h)Grafikbeschleuniger oderGrafik-Coprozessoren mit einer3-D Vektorrate größer als400 000 oder, falls nur 2-DVektoren unterstützt werden, miteiner 2-D Vektorrate größer als600 000 Vektoren/s.-----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 4A03.h gilt nicht fürArbeitsplätze, konstruiert für undbeschränkt auf1.grafische Gestaltungen, zB fürdas Druckgewerbe oderVerlagswesen, und2.Darstellungen zweidimensionaler Vektoren.-----------------------------------i.Farbbildschirme oder Monitoremit einer Auflösung größer als12 Bildpunkte/mm in Richtung dergrößten Bildpunktdichte,-----------------------------------ANMERKUNGEN:1.Nummer 4A03.i erfaßt keineBildschirme oder Monitore, nichtbesonders konstruiert fürElektronenrechner.2.Bildschirme, besonderskonstruiert fürFlugsicherungssysteme, werdenals besonders konstruierteBestandteile fürFlugsicherungssysteme der Gruppe6 behandelt,-----------------------------------j)Geräte für Analog/Digital- oder Digital/Analog-Umwandlungen, diedie Grenzwerte der Nummer3A01.a.5 überschreiten.k)Geräte mitEndgeräte-Schnittstellen, diedie Grenzwerte der Nummer5A01.b.3 überschreiten.-----------------------------------ANMERKUNG: Der Begriff„Endgeräte-Schnittstellen'' der Nummer 4A03.k schließt Local AreaNetwork-Schnittstellen, Modems undsonstigeKommunikations-Schnittstellen ein.Local Area Network-Schnittstellensind als Netz-Zugangs-Steuerungenzu behandeln.-----------------------------------4A04 Rechner wie folgt und besonders konstruierte verwandte Geräte, Baugruppen und Bauteile hierfür:a)systolische Array-Rechner,b)neuronale Rechner,c)optische Rechner.B. PRÜF- UND FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN4B01 Einrichtungen, besonders konstruiert für die Aufbringung von magnetischer Beschichtung auf erfaßten starren (nicht flexiblen) magnetischen oder magnetooptischen Datenträgern,-----------------------------------ANMERKUNG: Nummer 4B01 erfaßt keineUniversal-Sputtereinrichtungen.-----------------------------------4B02 speicherprogrammierbare Einrichtungen, besonders konstruiert zur Überwachung, Auswahl, Anwendungen oder Prüfung von erfaßten starren magnetischen Datenträgern,4B03 Einrichtungen, besonders konstruiert für die Herstellung oder Justierung von Schreib-/Leseköpfen oder von Baugruppen (head/disk assemblies) für erfaßte starre magnetische und magnetooptische Speicher sowie elektromagnetische oder optische Bauteile hierfür.C. WERKSTOFFEMaterialien, besonders geformt undunverzichtbar für die Herstellungvon erfaßten Baugruppen fürmagnetische und magnetooptischeFestplattenlaufwerke.D. SOFTWARE-----------------------------------ANMERKUNG: Der Erfassungsstatus von Softwarefür die Entwicklung, Herstellungund Verwendung von in anderenGruppen beschriebenen Einrichtungenwird in den betreffenden Gruppengeregelt.Der Erfassungsstatus von Softwarefür die in Gruppe 4 beschriebenenEinrichtungen bestimmt sich nachNummer 4D.-----------------------------------4D01 Software, besonders entwickelt oder abgewandelt für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung von Einrichtungen, Werkstoffen oder Software, die von Nummern 4A, 4B, 4C oder 4D erfaßt wird.4D02 Software, besonders entwickelt oder abgewandelt zur Unterstützung der Technologie, die von Nummer 4E erfaßt wird.4D03 Spezielle Software wie folgt:a)Software mit mathematischen undanalytischen Verfahren undentwickelt oder abgewandelt fürProgramme mit mehr als 500 000Instruktionen im Quellencode,zum Prüfen und Testen vonProgrammen,b)Software zur automatischenErzeugung von Quellencodes ausDaten, die on-line von externenin dieser Liste beschriebenenSensoren kommen,c)Quellencodes vonBetriebssystem-Software,Software-Entwicklungswerkzeugenund Compilern, besondersentwickelt für Geräte zur Mehrfachdatenstromverarbeitung,d)Expertensysteme oder Softwarefür Expertensysteme zur Wissensauswertung (inference engines) mit beiden folgendenEigenschaften:1.zeitabhängige Regeln und2.einfache Grundlagen(primitives) zur Behandlungvon Zeitcharakteristika in Regeln und Tatsachen,e)Software mit Eigenschaften oderFunktionen, die die Grenzwerteder Gruppe 5 -Informationssicherung -überschreiten,f)Betriebssysteme, besonderskonstruiert für Rechner zur Echtzeitverarbeitung, die eine Unterbrechungsintervallmöglichkeit (global interrupt latency time) kleiner als 30 mysgewährleisten.E. TECHNOLOGIE4E01 Technologie gemäß der allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung von Einrichtungen, Werkstoffen oder Software, die von Nummern 4A, 4B, 4C oder 4D erfaßt werden.4E02 sonstige Technologie wie folgt:a)Technologie für die Entwicklungoder Herstellung der von Nummer4A03.h nicht erfaßtenEinrichtungen,b)Technologie für die Entwicklungoder Herstellung vonEinrichtungen fürMehrfachdatenstromverarbeitung,c)Technologie, erforderlich fürdie Entwicklung oder Herstellungvon magnetischenFestplattenspeichern mit einerhöchsten Bit-Übertragungsrategrößer als 11 Mbit/s.